ชิ้นส่วนเคลือบ SiC ด้วยวิธี CVD สำหรับการปลูกผลึกซิลิคอน (Si Epi)

ชิ้นส่วนรับความร้อน แผ่นดิสก์รองรับ และส่วนประกอบสนามความร้อนเคลือบ SiC ที่ผลิตด้วยกระบวนการ CVD ของเราได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมอย่างแม่นยำสำหรับระบบการตกตะกอนซิลิคอนแบบเอพิแทกเซียลทั้งแบบแผ่นเดียวและแบบเป็นชุด ให้ความสม่ำเสมอของความร้อนที่ยอดเยี่ยมและไม่มีการปล่อยก๊าซ ชั้นเคลือบ β-SiC ลูกบาศก์ความหนาแน่นสูงจะห่อหุ้มพื้นผิวแกรไฟต์บริสุทธิ์สูงอย่างสมบูรณ์ ป้องกันการกัดกร่อนจากก๊าซที่ทำปฏิกิริยา (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) และรับประกันระดับสิ่งเจือปนโลหะต่ำมาก (< 5 ppm) ในระหว่างกระบวนการ Si Epi ที่อุณหภูมิสูง (1000°C - 1200°C)