สารเคลือบ CVD ขั้นสูงสำหรับการเจริญเติบโตแบบเอพิแท็กเซียลของ SiC

ผลิตภัณฑ์ของเราได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับกระบวนการผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังสูงที่ทำงานภายใต้สภาวะความเครียดทางความร้อนสูงมาก (1500°C - 1700°C) ตัวรองรับแบบดาวเคราะห์ จานดาวเทียม และตัวเบี่ยงก๊าซที่เคลือบด้วย CVD SiC และ TaC นั้นถูกสร้างขึ้นมาเพื่อความเป็นเลิศ ออกแบบมาเพื่อป้องกันการเกิดอนุภาค การเสื่อมสภาพของพื้นผิว และการกัดกร่อนจากก๊าซปฏิกิริยา (H₂, SiH₄, C₃H∯) การเคลือบขั้นสูงของเราช่วยให้มั่นใจได้ถึงอายุการใช้งานที่ยาวนาน การควบคุมสารเจือปนที่เหนือกว่า และความสม่ำเสมอของความหนาของฟิล์มสูงทั่วทั้งพื้นผิวแผ่นเวเฟอร์ SiC แบบเอพิแท็กเซียลขนาด 6 นิ้วและ 8 นิ้ว.