แผ่นรองพื้นกราไฟต์เคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์สำหรับเซมิคอนดักเตอร์, MOCVD Susceptor

คุณสมบัติหลักของตัวรองรับแรงกระแทกเคลือบ SiC:

1. ความต้านทานต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง:ทนต่ออุณหภูมิได้สูงถึง 1700℃ ทำให้เหมาะสำหรับสภาวะการประมวลผลที่รุนแรง

2. ความบริสุทธิ์สูงและความสม่ำเสมอทางความร้อน:ช่วยให้ได้ผลลัพธ์ที่สม่ำเสมอ ซึ่งเป็นสิ่งสำคัญอย่างยิ่งสำหรับตัวรับ MOCVDและงานที่ต้องการความแม่นยำสูงอื่นๆ

3. ทนทานต่อการกัดกร่อนดีเยี่ยม:ทนทานต่อกรด ด่าง เกลือ และสารเคมีอินทรีย์ต่างๆ

4. เพิ่มความแข็งของพื้นผิว:พื้นผิวแน่นด้วยอนุภาคละเอียดที่ให้ความทนทานและอายุการใช้งานที่ยาวนานขึ้น

5. อายุการใช้งานที่ยาวนานขึ้น:ออกแบบมาเพื่อประสิทธิภาพการทำงานที่ต่อเนื่อง เหนือกว่าตัวรองรับที่เคลือบด้วยซิลิคอนคาร์ไบด์แบบมาตรฐานในสภาพแวดล้อมการประมวลผลที่รุนแรง

ในฐานะผู้ผลิตชั้นนำ VET Energy มีความเชี่ยวชาญในการผลิตกราไฟต์แบบกำหนดเองและผลิตภัณฑ์ซิลิคอนคาร์ไบด์พร้อมตัวเลือกการเคลือบที่หลากหลาย รวมถึงการเคลือบ SiC, การเคลือบ TaC, การเคลือบคาร์บอนแก้วและการเคลือบด้วยคาร์บอนไพโรไลติก เราภูมิใจที่ได้ให้บริการอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และเซลล์แสงอาทิตย์ โดยส่งมอบตัวรองรับกราไฟต์เคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์ที่ตรงตามความต้องการใช้งานเฉพาะด้าน

ทีมงานด้านเทคนิคของเรา ซึ่งมีประสบการณ์จากสถาบันวิจัยชั้นนำในประเทศ มุ่งมั่นที่จะพัฒนาโซลูชันด้านวัสดุเพื่อตอบสนองความต้องการที่เปลี่ยนแปลงไปของอุตสาหกรรมตัวรองรับกราไฟต์เคลือบ SiCตลาด. ด้วยกระบวนการที่ได้รับการจดสิทธิบัตรของเรา VET Energy ได้พัฒนาเทคโนโลยีที่เป็นเอกลักษณ์ซึ่งช่วยเพิ่มความแข็งแรงในการยึดเกาะระหว่างสารเคลือบซิลิคอนคาร์ไบด์กับพื้นผิวได้อย่างมีนัยสำคัญ ลดความเสี่ยงในการหลุดลอก และเพิ่มความน่าเชื่อถือในระยะยาว