ซับสเตรตกราไฟท์เคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์สำหรับสารกึ่งตัวนำ ตัวรับ MOCVD

คุณสมบัติหลักของตัวรับเคลือบ SiC:

1. ทนทานต่อการเกิดออกซิเดชันที่อุณหภูมิสูง:ทนอุณหภูมิได้สูงถึง 1,700℃ จึงเหมาะกับสภาวะการประมวลผลที่รุนแรง

2. ความบริสุทธิ์สูงและความสม่ำเสมอของความร้อน:รับรองผลลัพธ์ที่สม่ำเสมอซึ่งมีความสำคัญสำหรับตัวรับ MOCVDและการใช้งานความแม่นยำอื่น ๆ

3. ทนทานต่อการกัดกร่อนได้ดีเยี่ยม:ทนทานต่อกรด ด่าง เกลือ และสารอินทรีย์ต่างๆ

4. ความแข็งผิวที่เพิ่มขึ้น:พื้นผิวกะทัดรัดด้วยอนุภาคละเอียด ช่วยเพิ่มความทนทานและอายุการใช้งานยาวนานยิ่งขึ้น

5. อายุการใช้งานที่ยาวนานขึ้น:ออกแบบมาเพื่อประสิทธิภาพการทำงานอย่างต่อเนื่อง เหนือกว่าตัวรับเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์มาตรฐานในสภาพแวดล้อมการประมวลผลที่รุนแรง

ในฐานะผู้ผลิตชั้นนำ VET Energy มีความเชี่ยวชาญด้านกราไฟท์ที่กำหนดเองและผลิตภัณฑ์ซิลิกอนคาร์ไบด์โดยมีตัวเลือกการเคลือบหลากหลาย เช่นการเคลือบ SiC, การเคลือบ TaC, เคลือบคาร์บอนแก้วและการเคลือบด้วยคาร์บอนไพโรไลติก เรามีความภูมิใจที่ได้ให้บริการแก่ภาคอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และโฟโตวอลตาอิคส์ โดยส่งมอบตัวรับกราไฟต์เคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์ที่ตอบสนองความต้องการในการใช้งานเฉพาะ

ทีมงานด้านเทคนิคของเราซึ่งมีประสบการณ์จากสถาบันวิจัยชั้นนำในประเทศ มุ่งมั่นที่จะพัฒนาโซลูชันวัสดุเพื่อตอบสนองความต้องการที่เปลี่ยนแปลงไปของตัวรับกราไฟท์เคลือบ SiCตลาด ผ่านกระบวนการที่ได้รับสิทธิบัตรของเรา VET Energy ได้พัฒนาเทคโนโลยีเฉพาะตัวที่ปรับปรุงความแข็งแรงของพันธะระหว่างการเคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์และพื้นผิวอย่างมีนัยสำคัญ ลดความเสี่ยงของการหลุดออกและเพิ่มความน่าเชื่อถือในระยะยาว