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Warum ist Silizium so hart, aber so spröde?
von admin am 24-12-10
Silizium ist ein Atomkristall, dessen Atome durch kovalente Bindungen miteinander verbunden sind und eine räumliche Netzwerkstruktur bilden. In dieser Struktur sind die kovalenten Bindungen zwischen den Atomen stark gerichtet und weisen eine hohe Bindungsenergie auf, wodurch Silizium eine hohe Härte aufweist, wenn es äußeren Kräften widersteht.
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Warum verbiegen sich Seitenwände beim Trockenätzen?
von admin am 24-12-03
Ungleichmäßigkeit des Ionenbeschusses. Trockenätzen ist üblicherweise ein Prozess, der physikalische und chemische Effekte kombiniert, wobei der Ionenbeschuss eine wichtige physikalische Ätzmethode ist. Während des Ätzprozesses können der Einfallswinkel und die Energieverteilung der Ionen ungleichmäßig sein. Wenn der Ioneneinfall...
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Einführung in drei gängige CVD-Technologien
von admin am 24-12-03
Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist die in der Halbleiterindustrie am weitesten verbreitete Technologie zur Abscheidung einer Vielzahl von Materialien, darunter eine breite Palette von Isoliermaterialien sowie die meisten Metalle und Metalllegierungen. CVD ist eine traditionelle Dünnschichtherstellungstechnologie. Ihr Prinzip...
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Kann Diamant andere Hochleistungshalbleiterbauelemente ersetzen?
von admin am 24-11-25
Als Eckpfeiler moderner elektronischer Geräte unterliegen Halbleitermaterialien beispiellosen Veränderungen. Heute zeigt Diamant mit seinen hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften sowie seiner Stabilität unter extremen Bedingungen allmählich sein großes Potenzial als Halbleitermaterial der vierten Generation.
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Was ist der Planarisierungsmechanismus von CMP?
von admin am 24-11-25
Dual-Damascene ist eine Prozesstechnologie zur Herstellung metallischer Leiterbahnen in integrierten Schaltkreisen. Sie stellt eine Weiterentwicklung des Damaszener-Verfahrens dar. Durch die gleichzeitige Ausbildung von Durchgangslöchern und Rillen im selben Prozessschritt und deren Füllung mit Metall ermöglicht die integrierte Fertigung von Metall...
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Graphit mit TaC-Beschichtung
von admin am 24-11-21
I. Untersuchung der Prozessparameter 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar-System 2. Abscheidungstemperatur: Gemäß der thermodynamischen Formel wird berechnet, dass bei Temperaturen über 1273 K die Gibbs-Freie-Energie der Reaktion sehr niedrig und die Reaktion relativ vollständig ist. Die Reaktion...
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Siliziumkarbid-Kristallwachstumsprozess und Gerätetechnologie
von admin am 24-11-21
1. Verfahren zur SiC-Kristallzüchtung: PVT (Sublimationsverfahren), HTCVD (Hochtemperatur-CVD) und LPE (Flüssigphasenverfahren) sind drei gängige Verfahren zur SiC-Kristallzüchtung. Das in der Branche am weitesten verbreitete Verfahren ist das PVT-Verfahren, und mehr als 95 % der SiC-Einkristalle werden mit dem PVT-Verfahren gezüchtet ...
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Herstellung und Leistungsverbesserung von porösen Silizium-Kohlenstoff-Verbundwerkstoffen
von admin am 24-11-13
Lithium-Ionen-Batterien entwickeln sich hauptsächlich in Richtung hoher Energiedichte. Bei Raumtemperatur legieren siliziumbasierte negative Elektrodenmaterialien mit Lithium, wodurch die lithiumreiche Li3,75Si-Phase entsteht. Die spezifische Kapazität beträgt bis zu 3572 mAh/g, was deutlich über dem theoretischen Wert liegt.
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Thermische Oxidation von Einkristall-Silizium
von admin am 24-11-13
Die Bildung von Siliziumdioxid auf der Siliziumoberfläche wird als Oxidation bezeichnet. Die Bildung von stabilem und fest haftendem Siliziumdioxid führte zur Entstehung der Planartechnologie für integrierte Siliziumschaltkreise. Obwohl es viele Möglichkeiten gibt, Siliziumdioxid direkt auf der Siliziumoberfläche wachsen zu lassen...
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