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Quellen der Kontamination und Reinigung von Halbleiterwafern
von admin am 24-08-13
Für die Halbleiterherstellung werden organische und anorganische Substanzen benötigt. Da der Prozess stets in Reinräumen unter menschlicher Beteiligung durchgeführt wird, sind Halbleiterwafer zudem zwangsläufig mit verschiedenen Verunreinigungen kontaminiert.
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Verschmutzungsquellen und -prävention in der Halbleiterindustrie
von admin am 24-08-13
Die Produktion von Halbleiterbauelementen umfasst hauptsächlich diskrete Bauelemente, integrierte Schaltkreise und deren Verpackungsprozesse. Die Halbleiterproduktion lässt sich in drei Phasen unterteilen: Herstellung des Produktkörpermaterials, Herstellung der Produktwafer und Montage der Bauelemente. Darunter...
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Warum ist eine Ausdünnung erforderlich?
von admin am 24-08-08
In der Back-End-Prozessphase muss der Wafer (Siliziumwafer mit Schaltkreisen auf der Vorderseite) vor dem anschließenden Zerteilen, Schweißen und Verpacken auf der Rückseite dünner gemacht werden, um die Montagehöhe des Pakets zu verringern, das Chip-Paketvolumen zu reduzieren und die Wärmediffusion des Chips zu verbessern ...
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Syntheseverfahren für hochreines SiC-Einkristallpulver
von admin am 24-08-08
Im Siliziumkarbid-Einkristall-Züchtungsprozess ist der physikalische Dampftransport (PVT) die derzeit gängige Industrialisierungsmethode. Beim PVT-Züchtungsverfahren hat Siliziumkarbidpulver einen großen Einfluss auf den Wachstumsprozess. Alle Parameter des Siliziumkarbidpulvers sind...
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Warum sind in einer Oblatenschachtel 25 Oblaten enthalten?
von admin am 24-07-30
In der hochentwickelten Welt der modernen Technologie sind Wafer, auch Siliziumwafer genannt, die Kernkomponenten der Halbleiterindustrie. Sie bilden die Grundlage für die Herstellung verschiedener elektronischer Komponenten wie Mikroprozessoren, Speicher, Sensoren usw., und jeder Wafer...
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Häufig verwendete Sockel für die Dampfphasenepitaxie
von admin am 24-07-30
Bei der Dampfphasenepitaxie (VPE) dient der Sockel dazu, das Substrat zu stützen und eine gleichmäßige Erwärmung während des Wachstums zu gewährleisten. Verschiedene Sockeltypen eignen sich für unterschiedliche Wachstumsbedingungen und Materialsysteme. Im Folgenden sind einige Beispiele aufgeführt...
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Wie kann die Lebensdauer von mit Tantalkarbid beschichteten Produkten verlängert werden?
von admin am 24-07-26
Tantalkarbidbeschichtete Produkte sind ein häufig verwendetes Hochtemperaturmaterial und zeichnen sich durch hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Verschleißfestigkeit aus. Daher werden sie häufig in Branchen wie der Luft- und Raumfahrt, der Chemie und der Energiebranche eingesetzt. Um ...
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Was ist der Unterschied zwischen PECVD und LPCVD in Halbleiter-CVD-Geräten?
von admin am 24.07.24
Unter chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) versteht man den Prozess der Abscheidung eines festen Films auf der Oberfläche eines Siliziumwafers durch eine chemische Reaktion eines Gasgemisches. Je nach den unterschiedlichen Reaktionsbedingungen (Druck, Vorläufer) kann CVD in verschiedene Anlagen unterteilt werden.
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Eigenschaften der Siliziumkarbid-Graphitform
von admin am 24-07-18
Siliziumkarbid-Graphitform Die Siliziumkarbid-Graphitform ist eine Verbundform mit Siliziumkarbid (SiC) als Basis und Graphit als Verstärkungsmaterial. Diese Form verfügt über eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und...
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