Chemische Gasphasenabscheidung (Herz-Kreislauf-Erkrankungen) bezeichnet den Prozess der Abscheidung eines festen Films auf der Oberfläche eines SiliziumWaferdurch eine chemische Reaktion eines Gasgemisches. Je nach den unterschiedlichen Reaktionsbedingungen (Druck, Vorläufer) kann man zwischen verschiedenen Gerätetypen unterscheiden.
Für welche Prozesse werden diese beiden Geräte eingesetzt?
PECVD(Plasma Enhanced)-Geräte sind am zahlreichsten und werden am häufigsten verwendet. Sie werden bei OX, Nitrid, Metallgate, amorphem Kohlenstoff usw. eingesetzt; LPCVD (Low Power) wird normalerweise bei Nitrid, Poly, TEOS verwendet.
Was ist das Prinzip?
PECVD – ein Verfahren, das Plasmaenergie und CVD optimal kombiniert. Die PECVD-Technologie nutzt Niedertemperaturplasma, um unter niedrigem Druck eine Glimmentladung an der Kathode der Prozesskammer (d. h. der Probenschale) zu induzieren. Diese Glimmentladung oder ein anderes Heizgerät kann die Temperatur der Probe auf ein vorbestimmtes Niveau erhöhen und anschließend eine kontrollierte Menge Prozessgas einleiten. Dieses Gas durchläuft eine Reihe chemischer und Plasmareaktionen und bildet schließlich einen festen Film auf der Probenoberfläche.
LPCVD – Die chemische Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck (LPCVD) dient dazu, den Betriebsdruck des Reaktionsgases im Reaktor auf etwa 133 Pa oder weniger zu senken.
Was sind die jeweiligen Merkmale?
PECVD – Ein Verfahren, das Plasmaenergie und CVD perfekt kombiniert: 1) Betrieb bei niedrigen Temperaturen (Vermeidung von Schäden an der Ausrüstung durch hohe Temperaturen); 2) Schnelles Filmwachstum; 3) Keine wählerischen Materialien, OX, Nitrid, Metallgate, amorpher Kohlenstoff können alle wachsen; 4) Es gibt ein In-situ-Überwachungssystem, das das Rezept über Ionenparameter, Gasdurchflussrate, Temperatur und Filmdicke anpassen kann.
LPCVD – Dünnschichten, die mittels LPCVD abgeschieden werden, zeichnen sich durch eine bessere Stufenabdeckung, eine gute Zusammensetzungs- und Strukturkontrolle sowie eine hohe Abscheidungsrate und -leistung aus. Darüber hinaus benötigt LPCVD kein Trägergas, wodurch die Partikelbelastung deutlich reduziert wird. Daher wird es in der wertschöpfenden Halbleiterindustrie häufig zur Dünnschichtabscheidung eingesetzt.
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Beitragszeit: 24. Juli 2024