SiC-Beschichtung auf Graphitsubstrat für Halbleiter,Siliziumkarbid-Beschichtung,MOCVD-Suszeptor,
MOCVD-Suszeptor, SiC-Beschichtung auf Graphitsubstrat für Halbleiter, Siliziumkarbid-Beschichtung,
Durch die SiC-Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiteranwendungen entsteht ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von einfachen oder komplexen Konstruktionsteilen aufgebracht. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Dicken und auf sehr große Teile aufgetragen werden.

Merkmale:
· Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
· Hervorragende physikalische Stoßfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
· Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre
Typische Eigenschaften des Graphit-Basismaterials:
| Scheinbare Dichte: | 1,85 g/cm³ |
| Elektrischer Widerstand: | 11 μΩm |
| Biegefestigkeit: | 49 MPa (500 kgf/cm²) |
| Shore-Härte: | 58 |
| Asche: | <5 ppm |
| Wärmeleitfähigkeit: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |




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