SiC-Beschichtung auf Graphitsubstrat für Halbleiter-SiC-beschichtete Graphitträger

Kurze Beschreibung:

 


  • Herkunftsort:Zhejiang, China (Festland)
  • Modell-Nr:Boot3004
  • Chemische Zusammensetzung:SiC-beschichteter Graphit
  • Biegefestigkeit:470 MPa
  • Wärmeleitfähigkeit:300 W/mK
  • Qualität:Perfekt
  • Funktion:CVD-SiC
  • Anwendung:Halbleiter/Photovoltaik
  • Dichte:3,21 g/cm³
  • Wärmeausdehnung:4 10-6/K
  • Asche: <5ppm
  • Probe:Verfügbar
  • HS-Code:6903100000
  • Produktdetail

    Produkt Tags

    Produktbeschreibung

    Die CVD-SiC-Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Alkalibeständigkeit und organische Reagenzien sowie stabile physikalische und chemische Eigenschaften aus.

    Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was zu einer Umweltverschmutzung von Peripheriegeräten und Vakuumkammern führt und die Verunreinigungen der hochreinen Umgebung erhöht.

    Allerdings kann die SiC-Beschichtung ihre physikalische und chemische Stabilität bei 1600 Grad aufrechterhalten. Sie wird in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie, häufig verwendet.

    Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, die auf der Oberfläche der beschichteten Materialien abgeschieden werden. Bildung einer SIC-Schutzschicht.Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden, was der Graphitbasis besondere Eigenschaften verleiht und so die Oberfläche des Graphits kompakt, porösitätsfrei, hochtemperaturbeständig, korrosionsbeständig und oxidationsbeständig macht.

    Anwendung:

    2

    Haupteigenschaften:

    1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

    Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1700 °C noch sehr gut.

    2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

    3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

    4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

    Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:

    SiC-CVD

    Dichte

    (g/cc)

    3.21

    Biegefestigkeit

    (MPa)

    470

    Wärmeausdehnung

    (10-6/K)

    4

    Wärmeleitfähigkeit

    (W/mK)

    300

    Lieferfähigkeit:

    10000 Stück/Stücke pro Monat
    Verpackung & Lieferung:
    Verpackung: Standard- und starke Verpackung
    Polybeutel + Karton + Karton + Palette
    Hafen:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Vorlaufzeit:

    Menge (Stück) 1 – 1000 >1000
    Europäische Sommerzeit.Zeit (Tage) 15 Zu verhandeln

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