SiC-Beschichtung mit Graphitsubstrat für Halbleiter, Siliziumkarbidbeschichtung, MOCVD-Suszeptor

Kurze Beschreibung:

Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Teilen mit einfachem oder komplexem Design aufgetragen.Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Stärken und auf sehr großen Teilen aufgetragen werden.


  • Herkunftsort:Zhejiang, China (Festland)
  • Modell-Nr:Modell-Nr:
  • Chemische Zusammensetzung:SiC-beschichteter Graphit
  • Biegefestigkeit:470 MPa
  • Wärmeleitfähigkeit:300 W/mK
  • Qualität:Perfekt
  • Funktion:CVD-SiC
  • Anwendung:Halbleiter/Photovoltaik
  • Dichte:3,21 g/cm³
  • Wärmeausdehnung:4 10-6/K
  • Asche: <5ppm
  • Probe:Verfügbar
  • HS-Code:6903100000
  • Produktdetail

    Produkt Tags

    Produktbeschreibung

    Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind die extrem hohe Reinheit, die homogene Beschichtung und eine hervorragende Lebensdauer.Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.

    Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
    CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Teilen mit einfachem oder komplexem Design aufgetragen.Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Stärken und auf sehr großen Teilen aufgetragen werden.

    SiC-Beschichtung/beschichteter MOCVD-Suszeptor

    Merkmale:
    · Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit
    · Ausgezeichnete physische Schockfestigkeit
    · Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
    · Superhohe Reinheit
    · Verfügbarkeit in komplexer Form
    · Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre

    Anwendung:

    2

     

    Typische Eigenschaften von Basisgraphitmaterial:

    Scheinbare Dichte: 1,85 g/cm3
    Elektrischer widerstand: 11 μΩm
    Biegefestigkeit: 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Shore-Härte: 58
    Asche: <5 ppm
    Wärmeleitfähigkeit: 116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

    Carbon liefert Suszeptoren und Graphitkomponenten für alle gängigen Epitaxiereaktoren.Unser Portfolio umfasst Barrel-Suszeptoren für Anwendungs- und LPE-Einheiten, Pancake-Suszeptoren für LPE-, CSD- und Gemini-Einheiten sowie Einzelwafer-Suszeptoren für Anwendungs- und ASM-Einheiten. Durch die Kombination starker Partnerschaften mit führenden OEMs, Materialkompetenz und Fertigungs-Know-how bietet SGL bietet das optimale Design für Ihre Anwendung.

     


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