Siliziumkarbidbeschichtetes Graphitsubstrat für Halbleiter, MOCVD-Suszeptor

Kurze Beschreibung:

Der SiC-beschichtete Suszeptor von VET Energy ist ein Hochleistungsprodukt, das für eine konstante und zuverlässige Leistung über einen langen Zeitraum entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit, hohe Reinheit und Erosionsbeständigkeit aus und ist damit die perfekte Lösung für die Waferverarbeitung.

Herkunftsort:Zhejiang, China (Festland)

Chemische Zusammensetzung:SiC-beschichteter Graphit

Biegefestigkeit:470 MPa

Wärmeleitfähigkeit:300 W/mK

Qualität:Perfekt

Funktion:CVD-SiC

Anwendung:Halbleiter/Photovoltaik

Dichte:3,21 g/cm³

Wärmeausdehnung:4 10-6/K

Asche: <5 ppm

Probe:Verfügbar

HS-Code:6903100000

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Produktdetail

Produkt Tags

VET Energy SiC-beschichteter Suszeptorist eine Hochleistungslösung, die sorgfältig entwickelt wurde, um zuverlässige, konstante Leistung über eine lange Lebensdauer zu liefern und den hohen Anforderungen der Halbleiterfertigung gerecht zu werden. Dank seiner außergewöhnlichen Hitzebeständigkeit, hervorragenden thermischen Gleichmäßigkeit und hohen Reinheit eignet sich dieses Produkt ideal für MOCVD-Waferträger und andere Waferverarbeitungsanwendungen, die Stabilität und Präzision erfordern. Seine robuste Erosionsbeständigkeit macht es zur erstklassigen Wahl für Umgebungen, in denen Haltbarkeit und chemische Beständigkeit unerlässlich sind.

UnserSiC-beschichteter Graphitsuszeptorist eine kritische Komponente im Halbleiterherstellungsprozess und nutzt die exklusive patentierte Technologie von VET Energy, um extrem hohe Reinheit, hervorragende Beschichtungsgleichmäßigkeit und bemerkenswerte thermische Stabilität zu erreichen. Die Beschichtung verleiht dem Graphitsubstrat eine hohe chemische Beständigkeit und eine deutlich verlängerte Lebensdauer. Das Qualitätsbewusstsein von VET Energy hat zu einem SiC-beschichteten Suszeptor geführt, der den wachsenden Anforderungen des Graphit-Waferträgermarktes gerecht wird und einen hohen Standard für SiC-beschichtete Graphit-Suszeptoren setzt, die inMOCVD-Prozesse.

Hauptmerkmale von SiC-beschichteten Suszeptoren:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:Hält Temperaturen bis zu 1700 °C stand und ist daher für extreme Verarbeitungsbedingungen geeignet.

2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit:Gewährleistet konsistente Ergebnisse, wichtig fürMOCVD-Suszeptorenund andere Präzisionsanwendungen.

3. Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit:Beständig gegen Säuren, Laugen, Salze und verschiedene organische Reagenzien.

4. Verbesserte Oberflächenhärte:Kompakte Oberfläche mit feinen Partikeln, die für höhere Haltbarkeit und Langlebigkeit sorgen.

5. Längere Lebensdauer:Für anhaltende Leistung entwickelt, übertrifft es herkömmliche, mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptoren in rauen Verarbeitungsumgebungen.

Als führender Hersteller ist VET Energy spezialisiert auf kundenspezifische Graphit- undSiliziumkarbidproduktemit verschiedenen Beschichtungsmöglichkeiten, darunterSiC-Beschichtung, TaC-Beschichtung, Glaskohlenstoffbeschichtungund pyrolytische Kohlenstoffbeschichtung. Wir beliefern die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie mit Siliziumkarbid-beschichteten Graphitsuszeptoren, die spezifische Betriebsanforderungen erfüllen.

Unser technisches Team, das über die Erfahrung führender inländischer Forschungseinrichtungen verfügt, widmet sich der Weiterentwicklung von Materiallösungen für die sich entwickelnden Bedürfnisse derSiC-beschichteter GraphitsuszeptorMarkt. Durch unser patentiertes Verfahren hat VET Energy eine einzigartige Technologie entwickelt, die die Bindungsstärke zwischen der Siliziumkarbidbeschichtung und dem Substrat deutlich verbessert, das Risiko einer Ablösung verringert und die langfristige Zuverlässigkeit erhöht.

Anwendungen und Vorteile in der Halbleiterverarbeitung

DerSiC-Beschichtung für MOCVDermöglichtGraphitsuszeptorKomponenten, um die Integrität unter hohen Temperaturen und in korrosiven Umgebungen aufrechtzuerhalten, was für die Präzisionshalbleiterproduktion unerlässlich ist. Diese SiC-beschichteten Graphitkomponenten werden besonders in Prozessen geschätzt, die Siliziumkarbid-beschichtete Suszeptoren erfordern fürGraphit-Waferträger, die eine hohe thermische Stabilität, Reinheit und Beständigkeit gegen chemische Erosion erfordern.

Mit unseren fortschrittlichen Siliziumkarbid-Beschichtungstechniken unterstützt VET Energy weiterhin den Markt für Graphit-Waferträger durch die Bereitstellung maßgeschneiderter, leistungsstarkerSiC-beschichtete Graphitsuszeptorendie branchenspezifische Herausforderungen angehen, von MOCVD-Prozessen bis hin zu hochreinen Anwendungen im Halbleiterbereich.