Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind die extrem hohe Reinheit, die homogene Beschichtung und eine hervorragende Lebensdauer.Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.
Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Teilen mit einfachem oder komplexem Design aufgetragen.Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Stärken und auf sehr großen Teilen aufgetragen werden.
Merkmale:
· Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit
· Ausgezeichnete physische Schockfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
· Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre
Anwendung:
Typische Eigenschaften von Basisgraphitmaterial:
Scheinbare Dichte: | 1,85 g/cm3 |
Elektrischer widerstand: | 11 μΩm |
Biegefestigkeit: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Shore-Härte: | 58 |
Asche: | <5 ppm |
Wärmeleitfähigkeit: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |
Carbon liefert Suszeptoren und Graphitkomponenten für alle gängigen Epitaxiereaktoren.Unser Portfolio umfasst Barrel-Suszeptoren für Anwendungs- und LPE-Einheiten, Pancake-Suszeptoren für LPE-, CSD- und Gemini-Einheiten sowie Einzelwafer-Suszeptoren für Anwendungs- und ASM-Einheiten. Durch die Kombination starker Partnerschaften mit führenden OEMs, Materialkompetenz und Fertigungs-Know-how bietet SGL bietet das optimale Design für Ihre Anwendung.