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¿Cuáles son las barreras técnicas del carburo de silicio?
La primera generación de materiales semiconductores está representada por el silicio (Si) y el germanio (Ge) tradicionales, que constituyen la base para la fabricación de circuitos integrados. Se utilizan ampliamente en transistores y detectores de baja tensión, baja frecuencia y baja potencia. Más del 90% de los productos semiconductores...Leer más -
¿Cómo se fabrica el micropolvo de SiC?
El monocristal de SiC es un material semiconductor compuesto del Grupo IV-IV, compuesto por dos elementos, Si y C, en una proporción estequiométrica de 1:1. Su dureza es solo superada por la del diamante. El método de reducción de óxido de silicio para preparar SiC se basa principalmente en la siguiente fórmula de reacción química...Leer más -
¿Cómo ayudan las capas epitaxiales a los dispositivos semiconductores?
El origen del nombre oblea epitaxial. Primero, popularicemos un pequeño concepto: la preparación de obleas incluye dos eslabones principales: la preparación del sustrato y el proceso epitaxial. El sustrato es una oblea hecha de material semiconductor monocristalino. El sustrato puede entrar directamente en la fábrica de obleas...Leer más -
Introducción a la tecnología de deposición de película fina por deposición química de vapor (CVD)
La deposición química en fase de vapor (CVD) es una importante tecnología de deposición de película delgada, que a menudo se utiliza para preparar diversas películas funcionales y materiales de capa delgada, y se utiliza ampliamente en la fabricación de semiconductores y otros campos. 1. Principio de funcionamiento de la CVD En el proceso de CVD, un precursor de gas (uno o...Leer más -
El secreto del “oro negro” tras la industria de los semiconductores fotovoltaicos: el deseo y la dependencia del grafito isostático
El grafito isostático es un material fundamental en la energía fotovoltaica y los semiconductores. Con el rápido crecimiento de las empresas nacionales de grafito isostático, se ha roto el monopolio de las empresas extranjeras en China. Gracias a la continua investigación y desarrollo independientes y a los avances tecnológicos,...Leer más -
Descubriendo las características esenciales de las naves de grafito en la fabricación de cerámica de semiconductores
Las naves de grafito, también conocidas como naves de grafito, desempeñan un papel crucial en los complejos procesos de fabricación de cerámica semiconductora. Estos recipientes especializados sirven como transportadores fiables para las obleas semiconductoras durante los tratamientos de alta temperatura, garantizando un procesamiento preciso y controlado. Con...Leer más -
Se explica en detalle la estructura interna del equipo de tubos del horno.
Como se muestra arriba, es una típica La primera mitad: ▪ Elemento calefactor (bobina de calentamiento): ubicado alrededor del tubo del horno, generalmente hecho de cables de resistencia, se utiliza para calentar el interior del tubo del horno. ▪ Tubo de cuarzo: el núcleo de un horno de oxidación en caliente, hecho de cuarzo de alta pureza que puede soportar h...Leer más -
Efectos del sustrato de SiC y los materiales epitaxiales en las características del dispositivo MOSFET
Defecto triangular. Los defectos triangulares son los defectos morfológicos más letales en las capas epitaxiales de SiC. Numerosos estudios han demostrado que la formación de defectos triangulares está relacionada con la forma cristalina de 3C. Sin embargo, debido a los diferentes mecanismos de crecimiento, la morfología de muchos...Leer más -
Crecimiento del monocristal de carburo de silicio SiC
Desde su descubrimiento, el carburo de silicio ha atraído una gran atención. El carburo de silicio está compuesto por mitad átomos de Si y mitad átomos de C, conectados mediante enlaces covalentes mediante pares de electrones que comparten orbitales híbridos sp3. En la unidad estructural básica de su monocristal, cuatro átomos de Si son...Leer más
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