Partes epitaxiales de Si

Componentes recubiertos de SiC mediante CVD para epitaxia de silicio (Si Epi)

Diseñados con precisión para sistemas de deposición epitaxial de silicio de una sola oblea y por lotes, nuestros susceptores, discos satélite y componentes de campo térmico recubiertos con SiC CVD ofrecen una uniformidad térmica excepcional y cero desgasificación. La capa de recubrimiento cúbico de β-SiC de alta densidad encapsula completamente el sustrato de grafito de alta pureza, lo que evita el grabado con gases reactivos (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) y garantiza niveles ultrabajos de impurezas metálicas (< 5 ppm) durante el procesamiento epitaxial de silicio a alta temperatura (1000 °C - 1200 °C).

Uniformidad del campo térmico

La emisividad controlada garantiza una consistencia precisa en el espesor de la película desde el borde hasta el centro de la oblea.

Resistencia al grabado con HCl

Proporciona una sólida protección contra los productos químicos de limpieza de la cámara in situ y los choques térmicos.

Compatibilidad del sistema OEM

Mecanizado CNC de precisión para adaptarse a las herramientas epitaxiales de una sola oblea de 200 mm/300 mm más comunes (Applied Materials, ASM).

Parámetro técnico	Valor de especificación	Norma / Método de prueba
Material de recubrimiento	β-SiC CVD (Fase cúbica)	Estructura cristalina de alta densidad
Material del sustrato	Grafito isostático ultrapuro	Densidad: 1,82 - 1,88 g/cm³
Pureza química	Impurezas totales < 5 ppm	Probado por GDMS
Espesor del recubrimiento	80 μm - 150 μm	Uniformidad ≤ ±5%