Piezas epitaxiales de SiC

Recubrimientos CVD avanzados para el crecimiento epitaxial de SiC

Diseñados a medida para procesos de dispositivos semiconductores de alta potencia que operan bajo estrés térmico extremo (1500 °C - 1700 °C), nuestros susceptores planetarios, discos satélite y deflectores de gas recubiertos con SiC y TaC mediante CVD están construidos para sobresalir. Diseñados para prevenir la generación de partículas, la degradación de la superficie y el grabado con gases reactivos (H₂, SiH₄, C₃H∯), nuestros recubrimientos avanzados garantizan una larga vida útil, un control superior del dopante y una alta uniformidad del espesor de la película.Obleas epitaxiales de SiC de 6 y 8 pulgadas.

Estabilidad a temperaturas ultra altas

Térmicamente estable hasta 1700 °C en entornos reductores severos de H₂/silano.

Ajuste de gradiente CTE

Elimina la delaminación, las microfisuras y el desprendimiento del recubrimiento durante ciclos térmicos rápidos.

Preparación para la escala de obleas de 8 pulgadas

Mecanizado CNC de precisión adaptado a los reactores epitaxiales de SiC de alto rendimiento de próxima generación (LPE, Aixtron, Nuflare).

Parámetro técnico	Valor de especificación	Norma / Método de prueba
Opciones de materiales de recubrimiento	CVD SiC / Carburo de tantalio (TaC)	Capa hermética de alta pureza
Sustrato base	Grafito isostático purificado	Impurezas en masa < 5 ppm
Resistencia al choque térmico	Delta T > 500 °C Velocidad de rampa	Sin grietas ni descamación.
Rugosidad superficial (Ra)	≤ 0,4 μm (pulido espejo)	Evita que las obleas se peguen y que se formen partículas.