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¿Cuál es el mecanismo de planarización del CMP?
El proceso Dual-Damascene se utiliza para fabricar interconexiones metálicas en circuitos integrados. Es una evolución del proceso Damascus. Al formar orificios pasantes y ranuras simultáneamente en la misma etapa del proceso y rellenarlos con metal, se logra la fabricación integrada de...Leer más -
Grafito con recubrimiento de TaC
I. Exploración de parámetros del proceso 1. Sistema TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Temperatura de deposición: Según la fórmula termodinámica, se calcula que cuando la temperatura es superior a 1273 K, la energía libre de Gibbs de la reacción es muy baja y la reacción es relativamente completa. La...Leer más -
Tecnología de procesos y equipos para el crecimiento de cristales de carburo de silicio
1. Ruta de tecnología de crecimiento de cristales de SiC: PVT (método de sublimación), HTCVD (deposición química de vapor a alta temperatura) y LPE (método de fase líquida) son tres métodos comunes de crecimiento de cristales de SiC; el método más reconocido en la industria es el método PVT, y más del 95% de los monocristales de SiC se cultivan mediante PVT...Leer más -
Preparación y mejora del rendimiento de materiales compuestos de silicio y carbono porosos
Las baterías de iones de litio se están desarrollando principalmente hacia una alta densidad de energía. A temperatura ambiente, los materiales del electrodo negativo a base de silicio se alean con litio para producir una fase rica en litio, Li3.75Si, con una capacidad específica de hasta 3572 mAh/g, que es mucho mayor que la teórica...Leer más -
Oxidación térmica del silicio monocristalino
La formación de dióxido de silicio en la superficie del silicio se denomina oxidación, y la creación de dióxido de silicio estable y fuertemente adherente dio origen a la tecnología de circuitos integrados planares de silicio. Si bien existen muchas maneras de cultivar dióxido de silicio directamente sobre la superficie del silicio...Leer más -
Procesamiento UV para encapsulado a nivel de oblea con distribución en abanico.
El empaquetado a nivel de oblea con distribución de chips (FOWLP) es un método rentable en la industria de semiconductores. Sin embargo, los efectos secundarios típicos de este proceso son la deformación y el desplazamiento de los chips. A pesar de la mejora continua de la tecnología de distribución de chips a nivel de oblea y panel, estos problemas relacionados con el moldeo aún persisten...Leer más -
Cerámica de carburo de silicio: el elemento final de los componentes de cuarzo fotovoltaicos.
Con el continuo desarrollo del mundo actual, la energía no renovable se está agotando cada vez más, y la sociedad humana se ve cada vez más obligada a utilizar energías renovables como la eólica, la lumínica, la hidráulica y la nuclear. En comparación con otras fuentes de energía renovable, los seres humanos...Leer más -
Proceso de preparación de cerámica de carburo de silicio mediante sinterización reactiva y sinterización sin presión
Sinterización por reacción El proceso de producción de cerámica de carburo de silicio mediante sinterización por reacción incluye la compactación de la cerámica, la compactación del agente de infiltración del fundente de sinterización, la preparación del producto cerámico mediante sinterización por reacción, la preparación de la cerámica de madera de carburo de silicio y otros pasos. Sinterización por reacción de silicio...Leer más -
Cerámica de carburo de silicio: componentes de precisión necesarios para los procesos de semiconductores.
La tecnología de fotolitografía se centra principalmente en el uso de sistemas ópticos para exponer patrones de circuitos en obleas de silicio. La precisión de este proceso afecta directamente al rendimiento y la producción de los circuitos integrados. Como uno de los equipos más importantes para la fabricación de chips, la máquina de litografía contiene...Leer más