CAMPO DE APLICACIÓN
Aplicación y rendimiento del producto Aplicaciones y usos del producto
Industria de monocristales de silicio, GaN, AlN, zafiro y otros pedestales MOCVD. -Recubrimiento base de grafito para el crecimiento epitaxial de silicio monocristalino.
Características principales: alta pureza, resistencia a la erosión, alta conductividad térmica, proceso MOCVD, recubrimiento base de grafito para el crecimiento epitaxial de GaN.
Alta resistencia a la temperatura, bajo coeficiente de dilatación térmica.
| Conductividad térmica | 250 W/m °K | Método de destello láser, RT |
| Expansión térmica (CTE) | 4,5 x 10-6°K | Dilatómetro de sílice, desde temperatura ambiente hasta 950 °C |
| Propiedad | Valor | Método |
| Densidad | 3,21 g/cm³ | Flotador de hundimiento y dimensionamiento |
| calor específico | 0,66 J/g °K | Destello láser pulsado |
| Resistencia a la flexión | 450 MPa 560 MPa | Curva de 4 puntos, curva RT4 puntos, 1300° |
| Tenacidad a la fractura | 2,94 MPa m1/2 | Microindentación |
| Dureza | 2800 | Vickers, carga de 500 g |
| Módulo de elasticidad | Módulo de Young | 450 GPa 430 GPa | Codo de 4 puntos, codo RT4, 1300 °C |
| Tamaño del grano | 2 - 10 µm | SEM |
Pureza, estructura SEM, análisis de espesor.recubrimiento de SiC
La pureza de los recubrimientos de SiC sobre grafito obtenidos mediante CVD alcanza el 99,9995%. Su estructura es cúbica centrada en las caras (fcc). Las películas de SiC depositadas sobre grafito presentan una orientación (111), como se observa en los datos de difracción de rayos X (Fig. 1), lo que indica su alta calidad cristalina. El espesor de la película de SiC es muy uniforme, como se muestra en la Fig. 2.
Figura 2: espesor uniforme de las películas de SiC
La estructura cristalina de la película de SiC CVD es una estructura cúbica centrada en las caras, y la orientación de crecimiento de la película es cercana al 100%. 
Microscopía electrónica de barrido (SEM) y difracción de rayos X (XRD) de una película de beta-SiC sobre grafito.
BASE EPITAXIAL DE SILICIO MONOCRISTALINO
Rendimiento del producto y perspectivas de aplicación.
Recubierto de carburo de silicio (SiC)La base es la mejor base para la epitaxia de silicio monocristalino y GaN, y es el componente principal del horno de epitaxia. Es un accesorio clave para la producción de silicio monocristalino en circuitos integrados de gran tamaño. Posee alta pureza, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión, buena estanqueidad y otras excelentes características de material.
Aplicación y uso del producto
Recubrimiento base de grafito para el crecimiento epitaxial de silicio monocristalino. Adecuado para máquinas Aixtron, etc. Espesor del recubrimiento: 90~150 µm. El diámetro del cráter de la oblea es de 55 mm.
FOTOVOLTAICA SOLAR
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recubrimiento del crisol de grafitopara silicio monocristalino mediante el método de extracción recta
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