Los requisitos de la industria de semiconductores en cuanto a los materiales de grafito son particularmente altos; el grafito de tamaño de partícula fino tiene alta precisión, alta resistencia a la temperatura, alta resistencia, baja pérdida y otras ventajas, como por ejemplo: moldes de productos de grafito sinterizado.Debido a que los equipos de grafito utilizados en la industria de semiconductores (incluidos los calentadores y sus matrices sinterizadas) deben soportar repetidos procesos de calentamiento y enfriamiento, para prolongar la vida útil de los equipos de grafito, generalmente se requiere que los materiales de grafito utilizados tengan un rendimiento estable y una función de resistencia al impacto térmico.
01 Accesorios de grafito para el crecimiento de cristales semiconductores
Todos los procesos utilizados para el crecimiento de cristales semiconductores se llevan a cabo en ambientes corrosivos y a altas temperaturas. La zona caliente del horno de crecimiento de cristales suele estar equipada con componentes de grafito de alta pureza, resistentes al calor y a la corrosión, como el calentador, el crisol, el cilindro aislante, el cilindro guía, el electrodo, el soporte del crisol, la tuerca del electrodo, etc.
Podemos fabricar todas las piezas de grafito de los dispositivos de producción de cristal, que se pueden suministrar individualmente o en conjuntos, o piezas de grafito personalizadas de varios tamaños según los requisitos del cliente. El tamaño de los productos se puede medir en el sitio y el contenido de cenizas de los productos terminados puede ser menor.que 5 ppm.
02 Accesorios de grafito para epitaxia de semiconductores
El proceso epitaxial se refiere al crecimiento de una capa de material monocristalino con la misma estructura cristalina que el sustrato sobre este último. En el proceso epitaxial, la oblea se coloca sobre un disco de grafito. El rendimiento y la calidad del disco de grafito son cruciales para la calidad de la capa epitaxial de la oblea. En la producción epitaxial, se requiere una gran cantidad de grafito de ultra alta pureza y de una base de grafito de alta pureza con recubrimiento de SiC.
La base de grafito de nuestra empresa para la epitaxia de semiconductores tiene una amplia gama de aplicaciones, es compatible con la mayoría de los equipos de uso común en la industria y posee alta pureza, recubrimiento uniforme, excelente vida útil, alta resistencia química y estabilidad térmica.
03 Accesorios de grafito para implantación iónica
La implantación iónica se refiere al proceso de acelerar un haz de plasma de boro, fósforo y arsénico a una energía determinada, para luego inyectarlo en la capa superficial de la oblea y modificar sus propiedades. Los componentes del dispositivo de implantación iónica deben estar fabricados con materiales de alta pureza, con excelente resistencia al calor, conductividad térmica, baja corrosión por el haz iónico y bajo contenido de impurezas. El grafito de alta pureza cumple con los requisitos de la aplicación y puede utilizarse para el tubo de vuelo, las ranuras, los electrodos, las cubiertas de los electrodos, los conductos, los terminadores del haz, etc., del equipo de implantación iónica.
No solo proporcionamos cubiertas de protección de grafito para diversas máquinas de implantación iónica, sino también electrodos de grafito de alta pureza y fuentes de iones con alta resistencia a la corrosión y diversas especificaciones. Modelos compatibles: Eaton, Azcelis, Quatum, Varian, Nissin, AMAT, LAM y otros equipos. Además, también ofrecemos productos y piezas recubiertas de cerámica, tungsteno, molibdeno y aluminio compatibles.
04 Materiales aislantes de grafito y otros
Los materiales de aislamiento térmico utilizados en los equipos de producción de semiconductores incluyen fieltro duro de grafito, fieltro blando, lámina de grafito, papel de grafito y cuerda de grafito.
Todas nuestras materias primas son grafito importado, que se puede cortar según las medidas específicas que requiera el cliente o venderse en piezas enteras.
La bandeja de carbono-carbono se utiliza como soporte para el recubrimiento de película en el proceso de producción de células solares de silicio monocristalino y policristalino. El principio de funcionamiento es el siguiente: se inserta el chip de silicio en la bandeja de carbono-carbono y se introduce en el tubo del horno para el proceso de recubrimiento.
