Noticias

Investigación sobre horno epitaxial de SiC de 8 pulgadas y proceso homoepitaxial-I
Publicado por el administrador el 24-09-04
Actualmente, la industria del SiC está pasando de 150 mm (6 pulgadas) a 200 mm (8 pulgadas). Para satisfacer la urgente demanda de obleas homoepitaxiales de SiC de gran tamaño y alta calidad en la industria, se prepararon con éxito obleas homoepitaxiales de 4H-SiC de 150 mm y 200 mm en...
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Optimización de la estructura de poros del carbono poroso - II
Por admin el 24-08-27
Bienvenido a nuestro sitio web para obtener información y consultas sobre nuestros productos. Nuestro sitio web: https://www.vet-china.com/ Método de activación físico-química El método de activación físico-química se refiere al método de preparación de materiales porosos mediante la combinación de las dos actividades mencionadas anteriormente...
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Optimización de la estructura de poros del carbono poroso-Ⅰ
Por admin el 24-08-27
Bienvenido a nuestro sitio web para obtener información y asesoramiento sobre nuestros productos. Nuestro sitio web: https://www.vet-china.com/ Este documento analiza el mercado actual del carbón activado, realiza un análisis exhaustivo de las materias primas del carbón activado e introduce la estructura de poros...
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Diagrama de flujo del proceso de semiconductores-II
Por admin el 24-08-23
Bienvenido a nuestro sitio web para obtener información y consultas sobre nuestros productos. Nuestro sitio web: https://www.vet-china.com/ Grabado de poli y SiO2: Después de esto, el exceso de poli y SiO2 se elimina mediante grabado. En este caso, se utiliza un grabado direccional. En la clasificación...
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Flujo del proceso de semiconductores
Por admin el 24-08-23
Puedes entenderlo incluso si nunca has estudiado física o matemáticas, pero es un poco demasiado simple y adecuado para principiantes. Si quieres saber más sobre CMOS, tienes que leer el contenido de este número, porque solo después de entender el flujo del proceso (es decir...
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Fuentes de contaminación y limpieza de obleas semiconductoras
Publicado por el administrador el 24-08-13
Algunas sustancias orgánicas e inorgánicas son necesarias para la fabricación de semiconductores. Además, dado que el proceso siempre se lleva a cabo en una sala limpia con intervención humana, las obleas semiconductoras se contaminan inevitablemente con diversas impurezas.
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Fuentes de contaminación y prevención en la industria de fabricación de semiconductores
Publicado por el administrador el 24-08-13
La producción de dispositivos semiconductores incluye principalmente dispositivos discretos, circuitos integrados y sus procesos de encapsulado. La producción de semiconductores se puede dividir en tres etapas: producción del material del cuerpo del producto, fabricación de obleas y ensamblaje del dispositivo. Entre ellas,...
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¿Por qué es necesario ralear el cabello?
Publicado por el administrador el 24-08-08
En la etapa final del proceso, la oblea (oblea de silicio con circuitos en la parte frontal) necesita ser adelgazada en la parte posterior antes del posterior corte, soldadura y empaquetado para reducir la altura de montaje del paquete, reducir el volumen del paquete del chip y mejorar la difusión térmica del chip...
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Proceso de síntesis de polvo monocristalino de SiC de alta pureza
Publicado por el administrador el 24-08-08
En el proceso de crecimiento de monocristales de carburo de silicio, el transporte físico de vapor es el método de industrialización predominante en la actualidad. Para el método de crecimiento PVT, el polvo de carburo de silicio tiene una gran influencia en el proceso de crecimiento. Todos los parámetros del polvo de carburo de silicio...
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