Recubierto de carburo de silicioEl proceso consiste en preparar una capa protectora de carburo de silicio sobre la superficie del grafito mediante deposición física o química de vapor y pulverización. Esta capa protectora se adhiere firmemente a la matriz de grafito, lo que hace que la superficie sea densa y libre de poros, otorgándole propiedades especiales como resistencia a la oxidación, a los ácidos y álcalis, a la erosión y a la corrosión. Actualmente, el recubrimiento de grafito es uno de los mejores componentes principales para el crecimiento epitaxial del carburo de silicio.
El semiconductor de carburo de silicio es el material principal de los semiconductores de banda prohibida ancha de reciente desarrollo. Sus dispositivos presentan características de alta resistencia a la temperatura, alta tensión, alta frecuencia, alta potencia y resistencia a la radiación. Ofrece ventajas como una rápida velocidad de conmutación y una alta eficiencia. Permite reducir significativamente el consumo energético del producto, mejorar la eficiencia de conversión de energía y disminuir su volumen. Se utiliza principalmente en comunicaciones 5G, defensa nacional e industria militar. El sector de radiofrecuencia (RF), representado por la industria aeroespacial, y el sector de la electrónica de potencia, representado por los vehículos de nueva energía y la "nueva infraestructura", presentan claras y considerables perspectivas de mercado tanto en el ámbito civil como en el militar.
El sustrato de carburo de silicio es el material principal del semiconductor de banda prohibida ancha de reciente desarrollo. El sustrato de carburo de silicio se utiliza principalmente en electrónica de microondas, electrónica de potencia y otros campos.Se encuentra en la etapa inicial de la cadena de la industria de semiconductores de banda prohibida ancha y es un material clave fundamental y de vanguardia. El sustrato de carburo de silicio se puede dividir en dos tipos: semi-aislante y conductor. Entre ellos, el sustrato de carburo de silicio semi-aislante tiene una alta resistividad (resistividad ≥ 10⁵ Ω·cm). El sustrato semi-aislante combinado con una lámina epitaxial heterogénea de nitruro de galio se puede utilizar como material para dispositivos de RF, que se utilizan principalmente en comunicaciones 5G, defensa nacional e industria militar en los escenarios mencionados. El otro es el sustrato de carburo de silicio conductor con baja resistividad (el rango de resistividad es de 15 a 30 mΩ·cm). La epitaxia homogénea del sustrato de carburo de silicio conductor y el carburo de silicio se puede utilizar como material para dispositivos de potencia. Los principales escenarios de aplicación son vehículos eléctricos, sistemas de potencia y otros campos.
Fecha de publicación: 21 de febrero de 2022