Recubrimiento de SiC recubierto de sustrato de grafito para portadores de grafito recubiertos de SiC semiconductores

Breve descripción:

 


  • Lugar de origen:Zhejiang, China (continental)
  • Número de modelo:barco3004
  • Composición química:Grafito recubierto de SiC
  • Fuerza flexible:470Mpa
  • Conductividad térmica:300 W/mK
  • Calidad:Perfecto
  • Función:CVD-SiC
  • Solicitud:Semiconductores/Fotovoltaicos
  • Densidad:3,21 g/cc
  • Expansión térmica:4 10-6/K
  • Ceniza: <5 ppm
  • Muestra:Disponible
  • Código hs:6903100000
  • Detalle del producto

    Etiquetas de productos

    Descripción del Producto

    El recubrimiento CVD-SiC tiene las características de estructura uniforme, material compacto, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la oxidación, alta pureza, resistencia a ácidos y álcalis y reactivo orgánico, con propiedades físicas y químicas estables.

    En comparación con los materiales de grafito de alta pureza, el grafito comienza a oxidarse a 400 °C, lo que provocará una pérdida de polvo debido a la oxidación, lo que provocará contaminación ambiental de los dispositivos periféricos y las cámaras de vacío, y aumentará las impurezas del entorno de alta pureza.

    Sin embargo, el recubrimiento de SiC puede mantener la estabilidad física y química a 1600 grados. Se usa ampliamente en la industria moderna, especialmente en la industria de semiconductores.

    Nuestra empresa brinda servicios de proceso de recubrimiento de SiC mediante el método CVD en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales, de modo que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos. formando una capa protectora SIC.El SIC formado está firmemente adherido a la base de grafito, dándole a la base de grafito propiedades especiales, haciendo así que la superficie del grafito sea compacta, libre de porosidad, resistente a altas temperaturas, a la corrosión y a la oxidación.

    Solicitud:

    2

    Principales características:

    1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:

    La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1700 C.

    2. Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.

    3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

    4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.

    Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densidad

    (g/cc)

    3.21

    Fuerza flexible

    (Mpa)

    470

    Expansión térmica

    (10-6/K)

    4

    Conductividad térmica

    (W/mK)

    300

    Capacidad de suministro:

    10000 pedazos/pedazos por mes
    Empaquetado y entrega:
    Embalaje: embalaje estándar y resistente
    Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Paleta
    Puerto:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghái
    Tiempo de espera:

    Cantidad (piezas) 1 – 1000 >1000
    Est.Tiempo (días) 15 Ser negociado

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