Napredni CVD premazi za epitaksijalni rast SiC-a
Prilagođeni za procese proizvodnje poluvodičkih uređaja velike snage koji rade pod ekstremnim toplinskim naprezanjem (1500 °C - 1700 °C), naši CVD SiC i TaC obloženi planetarni susceptori, satelitski diskovi i deflektori plina izrađeni su za izvrsnost. Dizajnirani za sprječavanje stvaranja čestica, degradacije površine i reaktivnog nagrizanja plinom (H₂, SiH₄, C₃H∯), naši napredni premazi osiguravaju dugi radni vijek, vrhunsku kontrolu dopanta i visoku ujednačenost debljine filma.6-inčne i 8-inčne SiC epitaksijalne pločice.
Termički stabilan do 1700°C u okruženjima s jakim smanjenjem H₂/silana.
Uklanja delaminaciju premaza, mikropukotine i ljuštenje tijekom brzih termičkih ciklusa.
Precizna CNC obrada prilagođena za visokopropusne SiC Epi reaktore sljedeće generacije (LPE, Aixtron, Nuflare).
| Tehnički parametar | Vrijednost specifikacije | Standardna / Ispitna metoda |
|---|---|---|
| Opcije materijala za premazivanje | CVD SiC / tantal karbid (TaC) | Visokočisti hermetički sloj |
| Osnovna podloga | Pročišćeni izostatički grafit | Nečistoća u rasutom stanju < 5 ppm |
| Otpornost na toplinski udar | Delta T > 500°C Brzina promjene | Bez pucanja / ljuštenja |
| Hrapavost površine (Ra) | ≤ 0,4 μm (polirano kao zrcalo) | Sprječava lijepljenje pločica i čestice |
