Si epitaksijalni dijelovi

CVD SiC obložene komponente za silicijsku epitaksiju (Si Epi)

Precizno konstruirani za sustave epitaksijalnog taloženja silicija na jednoj pločici i u serijama, naši CVD SiC obloženi susceptori, satelitski diskovi i komponente toplinskog polja pružaju izvanrednu toplinsku ujednačenost i nulto ispuštanje plinova. Sloj kubnog β-SiC premaza visoke gustoće u potpunosti obuhvaća visokočistu grafitu, sprječavajući nagrizanje reaktivnim plinovima (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) i jamčeći ultra niske razine metalnih nečistoća (< 5 ppm) tijekom visokotemperaturne Si Epi obrade (1000°C - 1200°C).

Ujednačenost toplinskog polja

Kontrolirana emisivnost osigurava preciznu konzistentnost debljine filma od ruba do središta pločice.

Otpornost na jetkanje HCl-om

Pruža robusnu zaštitu od kemikalija za čišćenje komore na licu mjesta i toplinskih šokova.

Kompatibilnost OEM sustava

Precizno CNC obrađeno kako bi odgovaralo uobičajenim Epi alatima s jednom pločicom od 200 mm/300 mm (Applied Materials, ASM).

Tehnički parametar	Vrijednost specifikacije	Standardna / Ispitna metoda
Materijal za premazivanje	CVD β-SiC (kubna faza)	Kristalna struktura visoke gustoće
Materijal podloge	Ultračisti izostatički grafit	Gustoća: 1,82 - 1,88 g/cm³
Kemijska čistoća	Ukupne nečistoće < 5 ppm	GDMS testirano
Debljina premaza	80 μm - 150 μm	Ujednačenost ≤ ±5%