Silikon karbida yang disinter tanpa tekanan (SSIC)Diproduksi menggunakan bubuk SiC yang sangat halus yang mengandung aditif sintering. Prosesnya menggunakan metode pembentukan yang umum untuk keramik lainnya dan disinter pada suhu 2.000 hingga 2.200°C dalam atmosfer gas inert. Selain versi butiran halus, dengan ukuran butiran < 5 µm, tersedia juga versi butiran kasar dengan ukuran butiran hingga 1,5 mm.

SSIC dibedakan oleh kekuatan tinggi yang tetap hampir konstan hingga suhu yang sangat tinggi (sekitar 1.600° C), dan mempertahankan kekuatan tersebut dalam jangka waktu yang lama!

Keunggulan produk:

Ketahanan oksidasi suhu tinggi

Ketahanan korosi yang sangat baik

Ketahanan abrasi yang baik

Koefisien konduktivitas panas yang tinggi
Pelumasan sendiri, kepadatan rendah
Kekerasan tinggi
Desain yang disesuaikan.

Properti teknis: