Basınçsız sinterlenmiş silisyum karbür (SSIC)Sinterleme katkı maddeleri içeren çok ince SiC tozu kullanılarak üretilir. Diğer seramikler için tipik olan şekillendirme yöntemleri kullanılarak işlenir ve inert gaz atmosferinde 2.000 ila 2.200°C'de sinterlenir. 5 µm'den küçük tane boyutuna sahip ince taneli versiyonlarının yanı sıra, 1,5 mm'ye kadar tane boyutuna sahip iri taneli versiyonları da mevcuttur.

SSIC, çok yüksek sıcaklıklara (yaklaşık 1600°C) kadar neredeyse sabit kalan yüksek mukavemetiyle öne çıkar ve bu mukavemeti uzun süreler boyunca korur!

Ürün avantajları:

Yüksek sıcaklık oksidasyon direnci

Mükemmel korozyon direnci

İyi aşınma direnci

Yüksek ısı iletkenlik katsayısı
Kendinden yağlamalı, düşük yoğunluklu
Yüksek sertlik
Özel tasarım.

Teknik özellikler: