Pemanas Grafit Kustom untuk Wafer Silikon Semikonduktor, lapisan SiC

Pemanas Grafit Kustom untuk Wafer Silikon Semikonduktor, Lapisan SiC (Gambar Unggulan)

Deskripsi Singkat:

Spesifikasi Teknis	VET-M3
Kepadatan Massal (g/cm3)	≥1,85
Kandungan Abu (PPM)	≤500
Kekerasan Shore	≥45
Resistansi Spesifik (μ.Ω.m)	≤12
Kekuatan Lentur (Mpa)	≥40
Kekuatan Tekan (Mpa)	≥70
Ukuran Butir Maksimum (μm)	≤43
Koefisien Ekspansi Termal Mm/°C	≤4.4*10-6

Kirim email kepada kami Unduh sebagai PDF

Detail Produk

Label Produk

DisesuaikanPemanas Grafit untuk Wafer Silikon Semikonduktor

Spesifikasi Teknis	VET-M3
Kepadatan Massal (g/cm3)	≥1,85
Kandungan Abu (PPM)	≤500
Kekerasan Shore	≥45
Resistansi Spesifik (μ.Ω.m)	≤12
Kekuatan Lentur (Mpa)	≥40
Kekuatan Tekan (Mpa)	≥70
Ukuran Butir Maksimum (μm)	≤43
Koefisien Ekspansi Termal Mm/°C	≤4.4*10-6

Pemanas Grafit Kustom untuk Wafer Silikon Semikonduktor

Pemanas Grafit Kustom untuk Wafer Silikon Semikonduktor

Pemanas Grafit Kustom untuk Wafer Silikon Semikonduktor

Pemanas Grafit Kustom untuk Wafer Silikon Semikonduktor

Pemanas Grafit Kustom untuk Wafer Silikon Semikonduktor

Sebelumnya: Pemanas Grafit Kustom untuk Zona Panas/Medan Termal Grafit

Berikutnya: Pemanas grafit Silikon karbida (SiC) Lapisan SiC dilapisi SiC

PRODUK TERKAIT

Obrolan Online WhatsApp!