Silicon carbide thiêu kết không áp suất (SSIC)Sản phẩm được sản xuất bằng cách sử dụng bột SiC rất mịn có chứa các chất phụ gia thiêu kết. Nó được xử lý bằng các phương pháp tạo hình điển hình cho các loại gốm khác và được thiêu kết ở nhiệt độ 2.000 đến 2.200°C trong môi trường khí trơ. Bên cạnh các phiên bản hạt mịn, với kích thước hạt < 5 µm, còn có các phiên bản hạt thô với kích thước hạt lên đến 1,5 mm.

SSIC nổi bật với độ bền cao, duy trì gần như không đổi ngay cả ở nhiệt độ rất cao (khoảng 1.600°C), và giữ được độ bền đó trong thời gian dài!

Ưu điểm của sản phẩm:

Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao

Khả năng chống ăn mòn tuyệt vời

Khả năng chống mài mòn tốt

Hệ số dẫn nhiệt cao
Tự bôi trơn, mật độ thấp
Độ cứng cao
Thiết kế theo yêu cầu.

Đặc tính kỹ thuật: