stampo in silicio SICsiliciostampo SSIC RBSIC
Carburo di silicio sinterizzato senza pressione (SSIC)Viene prodotto utilizzando polvere di SiC finissima contenente additivi di sinterizzazione. Viene lavorato con metodi di formatura tipici di altre ceramiche e sinterizzato a temperature comprese tra 2.000 e 2.200 °C in atmosfera di gas inerte. Oltre alle versioni a grana fine, con dimensioni dei grani < 5 µm, sono disponibili anche versioni a grana grossa con dimensioni dei grani fino a 1,5 mm.
L'acciaio inossidabile SSIC si distingue per l'elevata resistenza, che rimane pressoché costante anche a temperature molto elevate (circa 1.600 °C), mantenendo tale resistenza per lunghi periodi!
Vantaggi del prodotto:
resistenza all'ossidazione ad alta temperatura
Eccellente resistenza alla corrosione
Buona resistenza all'abrasione
elevato coefficiente di conducibilità termica
Autolubrificazione, bassa densità
Elevata durezza
Design personalizzato.
Caratteristiche tecniche:
| Elementi | Unità | Dati |
| Durezza | HS | ≥110 |
| Tasso di porosità | % | <0,3 |
| Densità | g/cm³ | 3.10-3.15 |
| Compressivo | MPa | >2200 |
| Resistenza frazionaria | MPa | >350 |
| Coefficiente di espansione | 10/°C | 4.0 |
| Contenuto di Sic | % | ≥99 |
| conducibilità termica | W/mk | >120 |
| Modulo elastico | GPa | ≥400 |
| Temperatura | °C | 1380 |


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