Nuntii

Quae sunt difficultates technicae fornacis accretionis crystallorum carburi silicii?
ab administratore die XXIV mensis Iunii anni VII
Fornax accretionis crystallorum est instrumentum principale ad accretionem crystallorum carburi silicii. Similis est fornaci accretionis crystallorum silicii crystallini traditi. Structura fornacis non est valde complicata. Constat praecipue ex corpore fornacis, systemate calefactionis, mechanismo transmissionis spiralis...
Plura lege
Quae sunt vitia strati epitaxialis carburi silicii?
ab administratore die XXIV mensis Iunii, anno MMXV
Ars technologica fundamentalis ad materias epitaxiales SiC crescendas est primum technologia vitiorum moderandorum, praesertim pro technologia vitiorum moderandorum quae obnoxia est ad defectum machinarum vel degradationem firmitatis. Studium mechanismi vitiorum substrati in epi...
Plura lege
Granum stantem oxidatum et technologia accretionis epitaxialis-II
ab administratore die XXIV mensis Maii, anno XXX
2. Incrementum tenue pelliculae epitaxialis Substratum stratum physicum sustentatorium vel stratum conductivum pro instrumentis potentiae Ga2O3 praebet. Proximum stratum magni momenti est stratum canalis vel stratum epitaxiale ad resistentiam tensionis et translationem vectorum adhibitum. Ut tensio disruptionis augeatur et con...
Plura lege
Technologia monocrystalli oxidi Gallii et accretionis epitaxialis
ab administratore die XXIV mensis Maii, anno XXX
Semiconductores lati intervalli electrici (WBG), a carburo silicii (SiC) et nitrido gallii (GaN) repraesentati, attentionem amplam ceperunt. Homines magnas exspectationes habent de prospectibus applicationis carburi silicii in vehiculis electricis et retibus electricis, necnon de prospectibus applicationis gallii...
Plura lege
Quae sunt impedimenta technica ad carburum silicii? II.
ab administratore die XXIV mensis Maii, anno XXII
Difficultates technicae in stabili productione laminarum silicii carburi altae qualitatis cum stabili effectu includunt: 1) Cum crystalli in ambiente clauso altae temperaturae supra 2000°C crescere debeant, requisita moderationis temperaturae altissima sunt; 2) Cum silicii carburum ...
Plura lege
Quae sunt impedimenta technica ad carburum silicii?
ab administratore die XXIV mensis Maii, anno XXII
Prima generatio materiarum semiconductricum a silicio (Si) et germanio (Ge) traditis repraesentatur, quae fundamentum fabricationis circuituum integratorum constituunt. Late in transistoribus et detectoribus humilis tensionis, humilis frequentiae, et humilis potentiae adhibentur. Plus quam 90% productorum semiconductorum...
Plura lege
Quomodo pulvis micro SiC fit?
ab administratore die XXIV mensis Maii, anno MMXIII
Crystallum singulare SiC est materia semiconductoria composita Gregis IV-IV, ex duobus elementis, Si et C, in proportione stoichiometrica 1:1 composita. Durities eius secunda tantum adamantibus est. Methodus reductionis carbonii oxidi silicii ad SiC praeparandum praecipue innititur formulae reactionis chemicae sequenti...
Plura lege
Quomodo strata epitaxialia instrumentis semiconductoribus prosunt?
ab administratore die XXIV mensis Maii, anno MMXIII
Origo nominis "placae epitaxialis" Primum, parvam notionem vulgamus: praeparatio placae duos nexus maiores includit: praeparationem substrati et processum epitaxialem. Substratum est placa e materia semiconductrice monocrystallina facta. Substratum directe in fabricationem placae intrare potest...
Plura lege
Introductio ad technologiam depositionis pelliculae tenuis per depositionem vaporis chemici (CVD)
ab administratore die XXIV mensis Maii anni VI
Depositio Vaporis Chemici (DVC) est technologia depositionis pellicularum tenuium magni momenti, saepe adhibita ad varias pelliculas functionales et materias tenuium stratarum praeparandas, et late in fabricatione semiconductorum aliisque campis adhibetur. 1. Principium operationis DVC In processu DVC, praecursor gasis (unum vel...
Plura lege