-
Tres artes praecipuae ad accretionem crystallorum SiC
Ut in Figura 3 demonstratur, tres sunt principales rationes quae SiC singulare crystallum qualitate et efficacia praebere student: epitaxia phasis liquidae (LPE), transportatio vaporis physica (PVT), et depositio vaporis chemici altae temperaturae (HTCVD). PVT est processus bene stabilitus ad SiC sin... producendum.Plura lege -
Brevis introductio de GaN semiconductore tertiae generationis et technologia epitaxiali affini
1. Semiconductores tertiae generationis Technologia semiconductorum primae generationis in materiis semiconductoribus ut Si et Ge elaborata est. Haec est basis materialis pro evolutione transistorum et technologiae circuituum integratorum. Materiae semiconductorum primae generationis posuerunt...Plura lege -
Suzhouensis superunicornis, pretio 23.5 miliardorum dollariorum, in mercatum publicum primum emitur.
Post novem annos negotiorum gerendorum, Innoscience plus quam sex miliarda Yuan in summa pecuniae mutuatae collegit, et aestimatio eius ad miram 23.5 miliarda Yuan pervenit. Index investorum tam longus est quam duodecim societates: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Plura lege -
Quomodo producta carburo tantali obducta resistentiam corrosionis materiarum augent?
Tegumentum carburi tantali est technologia tractationis superficiei vulgo adhibita quae resistentiam corrosionis materiarum insigniter augere potest. Tegumentum carburi tantali superficiei substrati per varias methodos praeparationis, ut depositionem vaporis chemici, physicam...Plura lege -
Introductio ad GaN semiconductorem tertiae generationis et technologiam epitaxialem affinem
1. Semiconductores tertiae generationis Technologia semiconductorum primae generationis in materiis semiconductoribus ut Si et Ge elaborata est. Haec est basis materialis pro evolutione transistorum et technologiae circuituum integratorum. Materiae semiconductorum primae generationis fundamentum posuerunt...Plura lege -
Studium simulationis numericae de effectu graphiti porosi in incrementum crystallorum carburi silicii
Processus fundamentalis accretionis crystalli SiC dividitur in sublimationem et decompositionem materiarum rudis ad altam temperaturam, translationem substantiarum phasis gaseosae sub actione gradientis temperaturae, et accretionem recrystallizationis substantiarum phasis gaseosae ad crystallum seminis. His innixi,...Plura lege -
Genera Graphitis Specialis
Graphite specialis est materia graphitae magnae puritatis, densitatis et firmitatis, et praeclaram resistentiam corrosionis, stabilitatem altae temperaturae, et magnam conductivitatem electricam habet. Ex graphite naturali vel artificiali, post curationem caloris altae temperaturae et tractationem altae pressionis, fit...Plura lege -
Analysis instrumentorum ad deponendum pelliculas tenues – principia et applicationes instrumentorum PECVD/LPCVD/ALD
Depositio pelliculae tenuis est stratum pelliculae in materia substrati principalis semiconductoris obducere. Haec pellicula ex variis materiis fieri potest, ut ex dioxido silicii composito insulante, polysilicio semiconductoris, cupro metallico, et cetera. Instrumentum ad obductionem adhibitum depositio pelliculae tenuis appellatur...Plura lege -
Materiae magni momenti quae qualitatem accretionis silicii monocrystallini determinant – campus thermalis
Processus accretionis silicii monocrystallini plene in campo thermali perficitur. Bonus campus thermalis qualitatem crystallorum auget et maiorem efficientiam crystallizationis habet. Designatio campi thermalis magnopere mutationes in gradientibus temperaturae determinat...Plura lege
- English
- French
- German
- Portuguese
- Spanish
- Russian
- Japanese
- Korean
- Arabic
- Irish
- Greek
- Turkish
- Italian
- Danish
- Romanian
- Indonesian
- Czech
- Afrikaans
- Swedish
- Polish
- Basque
- Catalan
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- Albanian
- Amharic
- Armenian
- Azerbaijani
- Belarusian
- Bengali
- Bosnian
- Bulgarian
- Cebuano
- Chichewa
- Corsican
- Croatian
- Dutch
- Estonian
- Filipino
- Finnish
- Frisian
- Galician
- Georgian
- Gujarati
- Haitian
- Hausa
- Hawaiian
- Hebrew
- Hmong
- Hungarian
- Icelandic
- Igbo
- Javanese
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- Kurdish
- Kyrgyz
- Latin
- Latvian
- Lithuanian
- Luxembou..
- Macedonian
- Malagasy
- Malay
- Malayalam
- Maltese
- Maori
- Marathi
- Mongolian
- Burmese
- Nepali
- Norwegian
- Pashto
- Persian
- Punjabi
- Serbian
- Sesotho
- Sinhala
- Slovak
- Slovenian
- Somali
- Samoan
- Scots Gaelic
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- Ukrainian
- Urdu
- Uzbek
- Vietnamese
- Welsh
- Xhosa
- Yiddish
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur