Anulus dentatus e graphito SiC obductus est pars clavis in variis processibus fabricationis semiconductorum adhibita. Technologia nostra patente utimur ad vectorem carburi silicii cum puritate summa, uniformitate obductionis bona et vita utili excellenti, necnon proprietatibus resistentiae chemicae et stabilitatis thermalis altis fabricandum.
VET Energy verus fabricator est productorum graphiti et carburi silicii personalizatorum, cum curationibus superficialibus ut SiC, TaC, carbonis vitrei, carbonis pyrolytici, etc., et varias partes personalizatas industriae semiconductorum et photovoltaicorum praebere potest.
Turma nostra technica ex summis institutis investigationis domesticis venit, quae solutiones materiales professionaliores tibi praebere potest.
Methodos provectiores continuo evolvimus ut materias magis provectas praebeamus, et technologiam exclusivam et patentem excogitavimus, quae nexum inter obductionem et substratum artiorem et minus pronam ad separationem reddere potest.
Proprietates productorum nostrorum:
1. Resistentia oxidationis altae temperaturae usque ad 1700℃.
2. Alta puritas et uniformitas thermalis
3. Excellens resistentia corrosionis: acidis, alcali, sale et reagentis organicis.
4. Alta duritia, superficies compacta, particulae tenues.
5. Diutius tempus servitii et diuturnius
| Morbus cardiovascularis (CVD) SiC薄膜基本物理性能 Proprietates physicae fundamentales SiC CVDobductio | |
| 性质 / Proprietas | 典型数值 / Valor Typicus |
| 晶体结构 / Structura Crystallina | FCC phasis beta.111）取向 |
| 密度 Densitas | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Duritia | MMD -500g onus |
| 晶粒大小 / Magnitudo Grani | 2~10μm |
| 纯度 / Puritas Chemica | 99.99995% |
| 热容 / Capacitas Calorifera | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura Sublimationis | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Robur Flexionale | 415 MPa RT 4-puncta |
| 杨氏模量 Modulus Youngianus | Flexus 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermaegoConductivitas | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 Expansio Thermica (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Calidissime te invitamus ut officinam nostram visites, ulterius disseramus!
