Ċirku tal-Irkaptu tal-Grafita Miksi bis-SiC

Deskrizzjoni Qasira:

Iċ-ċirku tal-gerijiet tal-grafita miksi bis-SiC ta' VET Energy huwa prodott ta' prestazzjoni għolja ddisinjat biex jipprovdi prestazzjoni konsistenti u affidabbli fuq perjodu estiż. Għandu reżistenza għas-sħana u uniformità termali super tajba, purità għolja, reżistenza għall-erożjoni, li jagħmluh is-soluzzjoni perfetta għal applikazzjonijiet tal-ipproċessar tal-wejfers.

Post tal-Oriġini:iċ-Ċina

Struttura tal-Kristall:Fażi FCCβ

Densità:3.21 g/ċm2;

Ebusija:2500 Vickers;

Purità Kimika:99.99995%;

Kapaċità tas-Sħana:640J·kg-1·K-1;

Temperatura tas-Sublimazzjoni:2700℃;

Daqs tal-Qamħ:2~10μm;

Saħħa Flessurali:415 Mpa (RT 4-Punti);

Modulu ta' Young:430 Gpa (liwja ta' 4pt, 1300℃);

Espansjoni Termali (CTE):4.5 10-6K-1;

Konduttività Termali:300（W/MK）;

Ibgħatilna email Niżżel bħala PDF

Dettalji tal-Prodott

Tikketti tal-Prodott

Iċ-Ċirku tal-Irkaptu tal-Grafita Miksija bis-SiC huwa komponent ewlieni użat f'diversi proċessi tal-manifattura tas-semikondutturi. Aħna nużaw it-teknoloġija brevettata tagħna biex nagħmlu t-trasportatur tal-karbur tas-silikon b'purità għolja ħafna, uniformità tajba tal-kisi u ħajja ta' servizz eċċellenti, kif ukoll proprjetajiet għoljin ta' reżistenza kimika u stabbiltà termali.

VET Energy huwa l-manifattur reali ta' prodotti personalizzati tal-grafita u l-karbur tas-silikon bi trattament tal-wiċċ bħal kisi tas-SiC, kisi tat-TaC, kisi tal-karbonju tal-ħġieġ, kisi tal-karbonju pirolitiku, eċċ., Jista' jipprovdi diversi partijiet personalizzati għall-industrija tas-semikondutturi u fotovoltajka.

It-tim tekniku tagħna ġej minn istituzzjonijiet ta' riċerka domestiċi ewlenin, jista' jipprovdilek soluzzjonijiet materjali aktar professjonali.

Aħna niżviluppaw kontinwament proċessi avvanzati biex nipprovdu materjali aktar avvanzati, u ħdimna teknoloġija brevettata esklussiva, li tista' tagħmel it-twaħħil bejn il-kisi u s-sottostrat aktar issikkat u anqas suxxettibbli li jinqala'.

Karatteristiċi tal-prodotti tagħna:

1. Reżistenza għall-ossidazzjoni f'temperatura għolja sa 1700 ℃.
2. Purità għolja u uniformità termali
3. Reżistenza eċċellenti għall-korrużjoni: reaġenti aċidużi, alkali, melħ u organiċi.
4. Ebusija għolja, wiċċ kompatt, partiċelli fini.
5. Ħajja ta' servizz itwal u aktar durabbli

CVD SiC薄膜基本物理性能 Proprjetajiet fiżiċi bażiċi tas-CVD SiCkisi
性质 / Proprjetà	典型数值 / Valur Tipiku
晶体结构 / Struttura tal-Kristall	Fażi β tal-FCC多晶，主要为（111）取向
密度 / Densità	3.21 g/ċm³
硬度 / Ebusija	2500 维氏硬度（tagħbija ta' 500g）
晶粒大小 / Daqs tal-Qamħ	2~10μm
纯度 / Purità Kimika	99.99995%
热容 / Kapaċità tas-Sħana	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Temperatura tas-Sublimazzjoni	2700℃
抗弯强度 / Saħħa Flessurali	415 MPa RT 4 punti
杨氏模量 / Modulu ta' Young	430 Gpa 4pt liwja, 1300℃
导热系数 / TermalKonduttività	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Espansjoni Termali (CTE)	4.5×10^-6K^-1