El anillo dentado de grafito recubierto de SiC es un componente clave en diversos procesos de fabricación de semiconductores. Utilizamos nuestra tecnología patentada para fabricar el soporte de carburo de silicio con una pureza extremadamente alta, una excelente uniformidad de recubrimiento y una vida útil excepcional, además de una elevada resistencia química y una gran estabilidad térmica.
VET Energy es un fabricante de productos personalizados de grafito y carburo de silicio con tratamientos superficiales como recubrimiento de SiC, recubrimiento de TaC, recubrimiento de carbono vítreo, recubrimiento de carbono pirolítico, etc., y puede suministrar diversas piezas personalizadas para la industria de semiconductores y fotovoltaica.
Nuestro equipo técnico proviene de las mejores instituciones de investigación nacionales y puede brindarle soluciones de materiales más profesionales.
Desarrollamos continuamente procesos avanzados para ofrecer materiales más sofisticados y hemos desarrollado una tecnología patentada exclusiva que permite una unión más firme entre el recubrimiento y el sustrato, reduciendo la probabilidad de desprendimiento.
Características de nuestros productos:
1. Alta resistencia a la oxidación a temperaturas de hasta 1700℃.
2. Alta pureza y uniformidad térmica
3. Excelente resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
4. Alta dureza, superficie compacta, partículas finas.
5. Mayor vida útil y mayor durabilidad.
| Enfermedad cardiovascular SiC薄膜基本物理性能 Propiedades físicas básicas del SiC CVDrevestimiento | |
| 性质 / Propiedad | 典型数值 / Valor típico |
| 晶体结构 Estructura cristalina | Fase β de la FCC多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Densidad | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureza | 2500 libras (carga de 500 g) |
| 晶粒大小 / Tamaño del grano | 2~10 μm |
| 纯度 Pureza química | 99,99995% |
| 热容 Capacidad calorífica | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 Temperatura de sublimación | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Resistencia a la flexión | 415 MPa RT 4 puntos |
| 杨氏模量 Módulo de Young | 430 GPa, codo de 4 puntos, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalConductividad | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Expansión térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
¡Les invitamos cordialmente a visitar nuestra fábrica! ¡Conversemos pronto!
