Besonnesch Virdeeler vun eise SiC-beschichtete Grafit-Susceptoren enthalen extrem héich Rengheet, homogen Beschichtung an en exzellente Liewensdauer.Si hunn och héich chemesch Resistenz an thermesch Stabilitéit Eegeschaften.

SiC Beschichtung vu Graphite Substrat fir Semiconductor Uwendungen produzéiert en Deel mat superieure Rengheet a Resistenz géint oxidéierend Atmosphär.
CVD SiC oder CVI SiC gëtt op Graphite vun einfachen oder komplexen Designdeeler applizéiert.D'Beschichtung kann a verschiddene Dicken an op ganz grouss Deeler applizéiert ginn.

Eegeschaften:
· Excellent thermesch Schock Resistenz
· Excellent kierperlech Schock Resistenz
· Excellent chemesch Resistenz
· Super héich Rengheet
· Disponibilitéit an komplex Form
· Benotzbar ënner oxidéierend Atmosphär

Applikatioun:

Typesch Eegeschafte vum Base Graphite Material:

Kuelestoff liwwert susceptors a GRAPHITE Komponente fir all aktuell epitaxy reactors.Eise Portfolio enthält Barrel susceptors fir applizéiert an LPE Eenheeten, pancake susceptors fir LPE, CSD, an Gemini Unitéiten, an Single-wafer susceptors fir applizéiert an ASM Unitéiten.By kombinéiert staark Partnerschafte mat féierende OEMs, Material Expertise a Fabrikatioun Know-How, SGL bitt den optimalen Design fir Är Applikatioun.