Personnaliséiert Grafitheizung fir Halbleiter Siliziumwafer, SiC Beschichtung

Personnaliséiert Grafithëtzer fir Halbleiter Siliziumwafer, SiC Beschichtung Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Technesch Spezifikatioun	VET-M3
Volumendicht (g/cm3)	≥1,85
Äschegehalt (PPM)	≤500
Shore-Häert	≥45
Spezifesche Widderstand (μ.Ω.m)	≤12
Biegefestigkeit (Mpa)	≥40
Kompressiounsstäerkt (Mpa)	≥70
Maximal Kärgréisst (μm)	≤43
Koeffizient vun der thermescher Expansioun Mm/°C	≤4,4*10-6

Schéckt eis eng E-Mail Als PDF eroflueden

Produktdetailer

Produkt Tags

PersonnaliséiertGrafit Heizung fir Halbleiter Silizium Wafer

Technesch Spezifikatioun	VET-M3
Volumendicht (g/cm3)	≥1,85
Äschegehalt (PPM)	≤500
Shore-Häert	≥45
Spezifesche Widderstand (μ.Ω.m)	≤12
Biegefestigkeit (Mpa)	≥40
Kompressiounsstäerkt (Mpa)	≥70
Maximal Kärgréisst (μm)	≤43
Koeffizient vun der thermescher Expansioun Mm/°C	≤4,4*10-6

Personnaliséiert Grafitheizung fir Halbleiter Siliziumwafer

Personnaliséiert Grafitheizung fir Halbleiter Siliziumwafer

Personnaliséiert Grafitheizung fir Halbleiter Siliziumwafer

Personnaliséiert Grafitheizung fir Halbleiter Siliziumwafer

Personnaliséiert Grafitheizung fir Halbleiter Siliziumwafer

Virdrun: Personnaliséierten Grafithëtzer fir Hot Zone / Grafitthermescht Feld

Weider: Grafitheizung Siliziumkarbid (SiC) SiC-Beschichtung SiC-beschichtet

VERWANDT PRODUKTER

WhatsApp Online Chat!