Epitaxialdeeler vu SiC

Fortgeschratt CVD-Beschichtunge fir SiC-Epitaxialwuesstem

Eis CVD SiC- an TaC-beschichtete planetaresch Susceptoren, Satellittescheiwen a Gasdeflekteren sinn op Prozesser mat héijer Leeschtung ageriicht, déi ënner extremer thermescher Belaaschtung (1500°C - 1700°C) funktionéieren, a si gebaut fir ze exceléieren. Eis fortgeschratt Beschichtunge si konzipéiert fir Partikelbildung, Uewerflächendegradatioun a reaktiv Gasätzung (H₂, SiH₄, C₃H∯) ze verhënneren an garantéieren eng laang Liewensdauer, eng iwwerleeën Dotierungskontroll an eng héich Schichtdickeuniformitéit.6-Zoll an 8-Zoll SiC epitaktesch Waferen.

Ultra-héich Temperaturstabilitéit

Thermesch stabil bis zu 1700°C a schwéieren H₂/Silan-reduzéierenden Ëmfeld.

Gradient CTE Matching

Eliminéiert Beschichtungsdelaminatioun, Mikrorëss a Splatterung während schnelle thermesche Zyklen.

Bereetschaft fir eng 8-Zoll Waferskala

Präzisiouns-CNC-Bearbeitung, speziell fir SiC Epi-Reaktoren vun der nächster Generatioun mat héijem Duerchgangsvolumen (LPE, Aixtron, Nuflare).

Technesche Parameter	Spezifikatiounswäert	Standard / Testmethod
Optioune fir Beschichtungsmaterial	CVD SiC / Tantalkarbid (TaC)	Héichreinheetlech hermetesch Schicht
Basissubstrat	Gereinegt isostatescht Grafit	Grouss Onreinheet < 5 ppm
Widderstand géint Thermeschock	Delta T > 500°C Rampenrate	Kee Rëss / Ofbléien
Uewerflächenrauheet (Ra)	≤ 0,4 μm (Spigelpoléiert)	Verhënnert datt Waferen festkleben a Partikelen