Si Epitaxialdeeler

CVD SiC beschichtete Komponenten fir Silizium-Epitaxie (Si Epi)

Präzisiounskonstruéiert fir Single-Wafer- a Batch-Silizium-Epitaxial-Oflagerungssystemer, liwweren eis CVD-SiC-beschichtete Susceptoren, Satellittescheiwen a thermesch Feldkomponenten eng aussergewéinlech thermesch Uniformitéit an Null-Ausgasung. Déi héichdichteg kubesch β-SiC-Beschichtungsschicht verkapselt dat héichreine Graphitsubstrat komplett, verhënnert reaktiv Gasätzung (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) a garantéiert ultra-niddreg metallesch Ongereinheetsniveauen (< 5 ppm) während der Héichtemperatur-SiEpi-Veraarbechtung (1000°C - 1200°C).

Thermesch Felduniformitéit

Kontrolléiert Emissivitéit garantéiert eng präzis Konsistenz vun der Filmdicke vum Wafer vu Rand bis Zentrum.

HCl Ätzbeständegkeet

Bitt robuste Schutz géint Chemikalien fir d'Botzen vun der Kammer in-situ an Thermoschocken.

OEM System Kompatibilitéit

Präzisiouns-CNC-fräigestallt fir op Mainstream 200mm/300mm Single-Wafer Epi-Tools (Applied Materials, ASM) ze passen.

Technesche Parameter	Spezifikatiounswäert	Standard / Testmethod
Beschichtungsmaterial	CVD β-SiC (Kubesch Phas)	Héichdicht Kristallstruktur
Substratmaterial	Ultra-reine isostatesche Grafit	Dicht: 1,82 - 1,88 g/cm³
Chemesch Rengheet	Gesamt Onreinheeten < 5 ppm	GDMS getest
Beschichtungsdicke	80 μm - 150 μm	Uniformitéit ≤ ±5%