Uzlaboti CVD pārklājumi SiC epitaksiālai augšanai
Mūsu CVD SiC un TaC pārklājuma planetārie susceptori, satelītu diski un gāzes deflektori, kas ir pielāgoti lieljaudas pusvadītāju ierīču procesiem, kas darbojas ekstremāla termiskā sprieguma apstākļos (1500 °C–1700 °C), ir radīti, lai nodrošinātu izcilu sniegumu. Mūsu uzlabotie pārklājumi, kas paredzēti daļiņu veidošanās, virsmas degradācijas un reaktīvas gāzes kodināšanas (H₂, SiH₄, C₃H∯) novēršanai, nodrošina ilgu kalpošanas laiku, izcilu piemaisījumu kontroli un augstu plēves biezuma vienmērīgumu visā virsmā.6 collu un 8 collu SiC epitaksiālās plāksnes.
Termiski stabils līdz 1700°C skarbajā H₂/silāna reducējošā vidē.
Novērš pārklājuma delamināciju, mikroplaisāšanu un lobīšanos ātru termisko ciklu laikā.
Precīza CNC apstrāde, kas pielāgota nākamās paaudzes augstas caurlaidības SiC Epi reaktoriem (LPE, Aixtron, Nuflare).
| Tehniskais parametrs | Specifikācijas vērtība | Standarts/testa metode |
|---|---|---|
| Pārklājuma materiāla iespējas | CVD SiC / tantala karbīds (TaC) | Augstas tīrības hermētiskais slānis |
| Pamatnes substrāts | Attīrīts izostatiskais grafīts | Piemaisījums bez taras < 5 ppm |
| Termiskā trieciena izturība | Delta T > 500°C Paātrinājuma ātrums | Nav plaisāšanas/lobīšanās |
| Virsmas raupjums (Ra) | ≤ 0,4 μm (spoguļpulēts) | Novērš vafeļu salipšanu un daļiņu veidošanos |
