Si epitaksiālās daļas

CVD SiC pārklājuma komponenti silīcija epitaksijai (Si Epi)

Mūsu CVD SiC pārklājuma susceptori, satelītdiski un termiskā lauka komponenti, kas ir precīzi izstrādāti vienas plāksnes un partijas silīcija epitaksiālās uzklāšanas sistēmām, nodrošina izcilu termisko vienmērību un nulles gāzu izdalīšanos. Augsta blīvuma kubiskais β-SiC pārklājuma slānis pilnībā iekapsulē augstas tīrības pakāpes grafīta substrātu, novēršot reaktīvu gāzu kodināšanu (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) un garantējot īpaši zemu metālu piemaisījumu līmeni (< 5 ppm) augstas temperatūras Si Epi apstrādes laikā (1000°C - 1200°C).

Termiskā lauka vienmērīgums

Kontrolēta emisijas spēja nodrošina precīzu vafeļu plēves biezuma konsekvenci no malas līdz centram.

HCl kodināšanas izturība

Nodrošina stabilu aizsardzību pret kameras tīrīšanas ķimikālijām uz vietas un termiskiem triecieniem.

OEM sistēmu saderība

Precīzi apstrādāts ar CNC, lai atbilstu galvenajiem 200 mm/300 mm vienas plāksnes Epi instrumentiem (Applied Materials, ASM).

Tehniskais parametrs	Specifikācijas vērtība	Standarts/testa metode
Pārklājuma materiāls	CVD β-SiC (kubiskā fāze)	Augsta blīvuma kristāliska struktūra
Substrāta materiāls	Īpaši tīrs izostatiskais grafīts	Blīvums: 1,82–1,88 g/cm³
Ķīmiskā tīrība	Kopējais piemaisījumu daudzums < 5 ppm	GDMS pārbaudīts
Pārklājuma biezums	80 μm–150 μm	Vienveidība ≤ ±5%