Цахиурын эпитаксид зориулсан CVD SiC бүрсэн бүрэлдэхүүн хэсгүүд (Si Epi)

Ганц вафер болон багцын цахиурын эпитаксиал тунадасжуулалтын системд зориулсан нарийн инженерчлэлтэй, манай CVD SiC бүрсэн сусцепторууд, хиймэл дагуулын дискүүд болон дулааны талбайн бүрэлдэхүүн хэсгүүд нь гайхалтай дулааны жигд байдал болон тэг хий ялгаралтыг хангадаг. Өндөр нягтралтай куб β-SiC бүрэх давхарга нь өндөр цэвэршилттэй бал чулуун суурь материалыг бүрэн бүрхэж, реактив хийн сийлбэрээс (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) сэргийлж, өндөр температурт Si Epi боловсруулалтын үед (1000°C - 1200°C) металлын хольцын хэт бага түвшинг (<5 ppm) баталгаажуулдаг.