Komponenti Miksija bis-SiC bis-CVD għall-Epitassija tas-Silikon (Si Epi)

Iddisinjati bi preċiżjoni għal sistemi ta' depożizzjoni Epitassjali tas-Silikon b'wejfer wieħed u f'lottijiet, is-susċetturi miksija bis-CVD SiC tagħna, id-diski satellitari, u l-komponenti tal-kamp termali jipprovdu uniformità termali eċċellenti u żero ħruġ ta' gass. Is-saff tal-kisi kubu β-SiC ta' densità għolja jinkapsula kompletament is-sottostrat tal-grafita ta' purità għolja, u jipprevjeni l-inċiżjoni reattiva tal-gass (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) u jiggarantixxi livelli ta' impurità metallika ultra-baxxi (< 5 ppm) waqt l-ipproċessar Si Epi f'temperatura għolja (1000°C - 1200°C).