CVD ta' Purità Għolja SiC Solidu Bulk

Immaġni Dehru bl-Ingrossa ta' SiC Solidu CVD ta' Purità Għolja

Deskrizzjoni Qasira:

It-tkabbir mgħaġġel ta' kristalli singoli SiC bl-użu ta' sorsi CVD-SiC bl-ingrossa (Depożizzjoni Kimika tal-Fwar – SiC) huwa metodu komuni għall-preparazzjoni ta' materjali ta' kristalli singoli SiC ta' kwalità għolja. Dawn il-kristalli singoli jistgħu jintużaw f'varjetà ta' applikazzjonijiet, inklużi apparati elettroniċi ta' qawwa għolja, apparati optoelettroniċi, sensuri, u apparati semikondutturi.

Ibgħatilna email Niżżel bħala PDF

Dettalji tal-Prodott

Tikketti tal-Prodott

VET Energy juża purità ultra-għoljakarbur tas-silikon (SiC)iffurmat permezz ta' depożizzjoni kimika tal-fwar(CVD)bħala l-materjal tas-sors għat-tkabbirKristalli tas-SiCpermezz ta' trasport fiżiku tal-fwar (PVT). Fil-PVT, il-materjal tas-sors jitgħabba f'griġjolu sublimat fuq kristall taż-żerriegħa.

Sors ta' purità għolja huwa meħtieġ għall-manifattura ta' kwalità għoljaKristalli tas-SiC.

VET Energy tispeċjalizza fil-provvista ta' SiC b'partiċelli kbar għall-PVT għaliex għandu densità ogħla minn materjal b'partiċelli żgħar iffurmat minn kombustjoni spontanja ta' gassijiet li fihom Si u C. B'differenza mis-sinterizzazzjoni f'fażi solida jew mir-reazzjoni ta' Si u C, ma jeħtieġx forn ta' sinterizzazzjoni ddedikat jew pass ta' sinterizzazzjoni li jieħu ħafna ħin f'forn tat-tkabbir. Dan il-materjal b'partiċelli kbar għandu rata ta' evaporazzjoni kważi kostanti, li ttejjeb l-uniformità minn ġirja għal ġirja.

Introduzzjoni:
1. Ipprepara sors ta' blokk CVD-SiC: L-ewwel, trid tipprepara sors ta' blokk CVD-SiC ta' kwalità għolja, li ġeneralment ikun ta' purità għolja u densità għolja. Dan jista' jiġi ppreparat permezz tal-metodu ta' depożizzjoni kimika tal-fwar (CVD) taħt kundizzjonijiet ta' reazzjoni xierqa.

2. Tħejjija tas-sottostrat: Agħżel sottostrat xieraq bħala s-sottostrat għat-tkabbir ta' kristall wieħed SiC. Materjali tas-sottostrat użati b'mod komuni jinkludu karbur tas-silikon, nitrid tas-silikon, eċċ., li għandhom taqbila tajba mal-kristall wieħed SiC li qed jikber.

3. Tisħin u sublimazzjoni: Poġġi s-sors tal-blokk CVD-SiC u s-sottostrat f'forn b'temperatura għolja u pprovdi kundizzjonijiet xierqa ta' sublimazzjoni. Sublimazzjoni tfisser li f'temperatura għolja, is-sors tal-blokk jinbidel direttament minn stat solidu għal stat ta' fwar, u mbagħad jerġa' jikkondensa fuq il-wiċċ tas-sottostrat biex jifforma kristall wieħed.

4. Kontroll tat-temperatura: Matul il-proċess tas-sublimazzjoni, il-gradjent tat-temperatura u d-distribuzzjoni tat-temperatura jeħtieġ li jiġu kkontrollati b'mod preċiż biex jippromwovu s-sublimazzjoni tas-sors tal-blokka u t-tkabbir ta' kristalli singoli. Kontroll xieraq tat-temperatura jista' jikseb kwalità ideali tal-kristall u rata ta' tkabbir.

5. Kontroll tal-atmosfera: Matul il-proċess tas-sublimazzjoni, l-atmosfera tar-reazzjoni teħtieġ ukoll li tiġi kkontrollata. Gass inert ta' purità għolja (bħall-argon) ġeneralment jintuża bħala gass trasportatur biex tinżamm pressjoni u purità xierqa u tiġi evitata l-kontaminazzjoni minn impuritajiet.

6. Tkabbir ta' kristall wieħed: Is-sors tal-blokka CVD-SiC jgħaddi minn tranżizzjoni tal-fażi tal-fwar matul il-proċess ta' sublimazzjoni u jerġa' jikkondensa fuq il-wiċċ tas-sottostrat biex jifforma struttura ta' kristall wieħed. Tkabbir rapidu ta' kristalli singoli SiC jista' jinkiseb permezz ta' kundizzjonijiet xierqa ta' sublimazzjoni u kontroll tal-gradjent tat-temperatura.