ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ကြွေထည်များကို ၎င်းတို့၏ မာကျောမှုမြင့်မားခြင်း၊ ခိုင်ခံ့မှုမြင့်မားခြင်း၊ အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်းနည်းပါးခြင်း၊ အပူစီးကူးမှုမြင့်မားခြင်း၊ ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှုကောင်းမွန်ခြင်း၊ အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်ခြင်းနှင့် အောက်ဆီဒေးရှင်းခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းတို့ကြောင့် ခေတ်မီထုတ်လုပ်မှုနယ်ပယ်အမျိုးမျိုးတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုခဲ့ကြသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များ၏ အထက်ဖော်ပြပါ ဝိသေသလက္ခဏာများအပြင်၊ အပေါက်ငယ်များပါသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များသည် ၎င်းတို့၏ထူးခြားသော အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းဖြင့်သာမြင်နိုင်သော ဖွဲ့စည်းပုံဖြင့် သတ္တုဗေဒ၊ ဓာတုအင်ဂျင်နီယာ၊ ပတ်ဝန်းကျင်ထိန်းသိမ်းရေးနှင့် စွမ်းအင်ကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုအလားအလာများရှိပြီး ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များ၏ အသုံးချမှုအတိုင်းအတာကို သိသိသာသာတိုးချဲ့ပေးပါသည်။
၏ အထူးဂုဏ်သတ္တိများအပေါက်များသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်အဓိကအားဖြင့် ၎င်းတို့၏ ထူးခြားသော အပေါက်ငယ်ဖွဲ့စည်းပုံ၊ အပေါက်ငယ်အရွယ်အစားနှင့် ဖြန့်ဖြူးမှု၊ အပေါက်ငယ်ပုံသဏ္ဍာန် စသည်တို့မှ အကျိုးကျေးဇူးရရှိကြသည်။ ထို့ကြောင့် လိုချင်သော အပေါက်ငယ်ဖွဲ့စည်းပုံကို ရရှိရန် ပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းမှတစ်ဆင့် ၎င်း၏ အပေါက်ငယ်၊ အပေါက်ငယ်အရွယ်အစားနှင့် ဖြန့်ဖြူးမှုအပြင် အပေါက်ငယ်များ၏ပုံသဏ္ဍာန်ကို ထိန်းညှိရန် လိုအပ်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် ၎င်း၏ ပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းသည် လူများ၏ သုတေသန၏ အဓိကအာရုံစိုက်မှုဖြစ်ခဲ့သည်။ ဤဆောင်းပါးသည် မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း ပြည်တွင်းနှင့် ပြည်ပတွင် အပေါက်ငယ်ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များ ပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းများတွင် သုတေသနတိုးတက်မှုကို အဓိကထား ပြန်လည်သုံးသပ်ထားသည်။
၁။ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနည်းလမ်း
ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနည်းလမ်းဆိုသည်မှာ porous silicon carbide ကြွေထည်များတွင် အပေါက်များသည် ဓာတုဗေဒတုံ့ပြန်မှုများ မဖြစ်ပေါ်ခြင်း သို့မဟုတ် အရာဝတ္ထုအသစ်များ မထုတ်လုပ်ခြင်းမရှိဘဲ ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဖြစ်စဉ်များစွာကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာခြင်းဖြစ်သည်ဟု ရည်ညွှန်းသည်။ အဓိကယန္တရားမှာ အစိုင်အခဲပစ္စည်းများ၏ အပူကျုံ့ခြင်း၊ အရည်အဆင့် အငွေ့ပျံခြင်းနှင့် အစိုင်အခဲအဆင့် တိုက်ရိုက် sublimation ပြုလုပ်ခြင်းတို့ကြောင့် ကျန်ရှိနေသော အပေါက်များကို အားကိုးခြင်းဖြင့် အပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံကို ဖွဲ့စည်းရန်ဖြစ်သည်။ အသုံးများသောနည်းလမ်းများတွင် particle stacking နည်းလမ်း၊ freeze-drying နည်းလမ်း၊ sol-gel နည်းလမ်း စသည်တို့ ပါဝင်သည်။ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း ပေါ်ပေါက်လာသော 3D printing နည်းပညာကိုလည်း porous ဖွဲ့စည်းပုံများကို တိုက်ရိုက် print ထုတ်ပြီး ပြင်ဆင်ရန် အသုံးပြုနိုင်သည်။
၁.၁ အမှုန်များ စုပုံခြင်း နည်းလမ်း
အမှုန်ထုပ်ပိုး sintering နည်းလမ်းသည် porous silicon carbide ကြွေထည်များကို ပြင်ဆင်ရန် အရိုးရှင်းဆုံးနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ဤနည်းလမ်း၏ အခြေခံမူမှာ ကြွေထည်အမှုန်များ၏ sintering စွမ်းဆောင်ရည်ကို အသုံးပြု၍ မတူညီသော SiC အမှုန်များအကြား sintering neck များဖွဲ့စည်းရန်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် အမှုန်များစုပုံလာခြင်းဖြင့် porous ကြွေထည်များဖွဲ့စည်းနိုင်စေပါသည်။ sintering အပူချိန်ကို လျှော့ချရန်အတွက်၊ မတူညီသော SiC အမှုန်များအကြား ချိတ်ဆက်မှုတစ်ခုဖွဲ့စည်းရန် အရည်ပျော်မှတ်နိမ့်သော binder ပမာဏအချို့ကို ထည့်သွင်းလေ့ရှိသည်။ အမှုန်ထုပ်ပိုး sintering နည်းလမ်းရှိ အပေါက်များအားလုံးသည် SiC အမှုန်များအကြား packing gaps မှ ပြောင်းလဲထားသောကြောင့်၊ အပြီးသတ် porous ကြွေထည်များ၏ porosity နှင့် pore size ကို အမှုန့်အရွယ်အစား၊ binder ၏ အမျိုးအစားနှင့် ထပ်ထည့်ပမာဏနှင့် sintering parameters များကို ပြောင်းလဲခြင်းဖြင့် ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။
အမှုန်အမွှားများ စုပုံခြင်းနည်းလမ်းဖြင့် အပေါက်များသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များပြင်ဆင်ခြင်းသည် အပေါက်များဖွဲ့စည်းပေးသည့်အရာများ ထပ်မံထည့်သွင်းရန် မလိုအပ်ပါ။ လုပ်ငန်းစဉ်သည် ရိုးရှင်းပြီး ထိန်းချုပ်ရန် နှိုင်းယှဉ်ရလွယ်ကူပါသည်။ သို့သော်၊ ဤနည်းလမ်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော အပေါက်များသော ကြွေထည်များ၏ အပေါက်များသည် ယေဘုယျအားဖြင့် နည်းပါးပါသည်။ ပုံသဏ္ဍာန်၊ အပေါက်အရွယ်အစားနှင့် အပေါက်များ၏ အပေါက်များကို အဓိကအားဖြင့် ကုန်ကြမ်းအမှုန်များ၏ ပုံသဏ္ဍာန်၊ အမှုန်အရွယ်အစားနှင့် ဖြန့်ဖြူးမှုအပြင် အမှုန်အမွှားများ ပေါင်းစပ်ခြင်းအတိုင်းအတာဖြင့် ဆုံးဖြတ်ပါသည်။
၁.၂ အေးခဲခြောက်သွေ့စေသည့်နည်းလမ်း
အေးခဲခြောက်သွေ့စေခြင်းဆိုသည်မှာ ကြွေထည်ကျောက်စရစ်များကို ရေ သို့မဟုတ် အော်ဂဲနစ်ပျော်ရည်များနှင့် ညီညာစွာရောစပ်ပြီး အရည်ပျော်စေသည့်နည်းလမ်းဖြစ်ပြီး သင့်လျော်သောပမာဏဖြင့် အရည်ပျော်ပစ္စည်း သို့မဟုတ် ချည်နှောင်ပစ္စည်းများပါဝင်သည့်နေရာတွင် အရည်ပျော်ပစ္စည်းဖြစ်ပေါ်လာစေပါသည်။ ထို့နောက် ကောင်းစွာရောစပ်ထားသော အရည်ပျော်ပစ္စည်းကို မှိုထဲသို့လောင်းထည့်ပြီး အပူချိန်နိမ့်တွင် လျင်မြန်စွာအေးခဲစေခြင်းဖြင့် အရည်အဆင့်မက်ထရစ်သည် အစိုင်အခဲအဖြစ်သို့ လျင်မြန်စွာပြောင်းလဲသွားစေပါသည်။ ထို့နောက် အစိုင်အခဲအဆင့်ကို ဖိအားလျှော့ချခြင်း သို့မဟုတ် လေဟာနယ်အခြောက်ခံခြင်းကုသမှုဖြင့် sublimation ပြုလုပ်ပြီး ဖယ်ရှားပါသည်။ အရည်ပျော်ပစ္စည်းအတွင်းတွင် ကျန်ရှိနေသော ဦးတည်ချက်အလိုက်စီစဉ်ထားသော အပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံများဖြင့် အစိမ်းရောင်ကိုယ်ထည်ကိုရယူပြီး နောက်ဆုံးတွင် porous silicon carbide ကြွေထည်များထုတ်လုပ်ရန် sintering ပြုလုပ်ခြင်းနည်းလမ်းဖြစ်သည်။
၁.၃ 3D ပုံနှိပ်ခြင်းနည်းလမ်း
အပေါက်များသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များပြင်ဆင်ရန်အတွက် 3D ပုံနှိပ်နည်းလမ်းသည် မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း တီထွင်ခဲ့သော ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အသစ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ကွန်ပျူတာအကူအညီဖြင့် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော သုံးဖက်မြင်ဒေတာမော်ဒယ်ပေါ်တွင် မူတည်သည်။ ပရင့်ခေါင်းမှတစ်ဆင့်၊ ထုပ်ပိုးကိရိယာကို ပက်ဖျန်းပြီး ကုန်ကြမ်းမှုန့်အလွှာများကို သုံးဖက်မြင်ကွန်ရက်ဖွဲ့စည်းပုံအဖြစ် အလွှာလိုက်စီထားသည်။ 3D ပုံနှိပ်ခြင်းနှင့် ဓာတ်ပြုမှုပေါင်းစပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များသည် မှိုကင်းစင်သောထုတ်လုပ်မှုနှင့် ရှုပ်ထွေးသောပုံသဏ္ဍာန်ကြွေထည်များ၏ အသားတင်အရွယ်အစားနီးပါးဖွဲ့စည်းခြင်းကို ရရှိစေနိုင်သည်။
porous silicon carbide ကြွေထည်များပြင်ဆင်ရန် 3D printing နည်းလမ်းတွင် ရိုးရှင်းသောပုံသွင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ မြင့်မားသောပြင်ဆင်မှုနှင့် လုပ်ဆောင်မှုထိရောက်မှုရှိပြီး မှိုများမလိုအပ်ပါ။ ၎င်းကို ရှုပ်ထွေးသောပုံသဏ္ဍာန်များ၊ တစ်ပြေးညီ microstructures များနှင့် ကောင်းမွန်သော pore connectivity ရှိသော porous silicon carbide ကြွေထည်များပြင်ဆင်ရန်သာမက porous ceramics များ၏ porosity နှင့် pore size ကိုလည်း ထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး ချိန်ညှိနိုင်သည်။ သို့သော် ဤနည်းလမ်းသည် လက်ရှိတွင် စူးစမ်းလေ့လာရေးအဆင့်တွင်သာရှိသေးပြီး လုပ်ငန်းစဉ် parameters များကို ပိုမို optimize လုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ထို့အပြင် ဤနည်းလမ်းသည် မြင့်မားသောအစွမ်းသတ္တိ porous silicon carbide ကြွေထည်များကို တစ်ဆင့်တည်းဖြင့် ပြင်ဆင်ရန်ခက်ခဲသည်။ လိုချင်သောထုတ်ကုန်များကိုထုတ်လုပ်ရန် အခြားလုပ်ငန်းစဉ်များ၏အကူအညီလိုအပ်ပြီး ကုန်ကျစရိတ်များပါသည်။
၁.၄ အမြှုပ်ထွက်ခြင်း
အမြှုပ်ထအောင် ပုံသွင်းခြင်းနည်းလမ်းတွင် ဓာတ်ငွေ့ သို့မဟုတ် ကြွေထည်အစိမ်းရောင်ကိုယ်ထည် သို့မဟုတ် ရှေ့ပြေးပုံစံသို့ နောက်ဆက်တွဲလုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် ဓာတ်ငွေ့ထုတ်ပေးနိုင်သည့် အရာများကို ထည့်သွင်းပြီးနောက် အပေါက်များသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များရရှိရန် အပူပေးခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။ အခြားပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းများနှင့်မတူဘဲ၊ အမြှုပ်ထအောင် ပုံသွင်းနည်းလမ်းသည် ပိတ်ထားသောဆဲလ်ကြွေထည်များပြင်ဆင်ရာတွင် ထိရောက်သောလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။
၂။ ဓာတုဗေဒနည်းလမ်း
ဓာတုဗေဒနည်းလမ်းဆိုသည်မှာ အပေါက်များသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များတွင် အပေါက်များသောဖွဲ့စည်းပုံကို အော်ဂဲနစ်မဟုတ်သောဆားများ သို့မဟုတ် ထပ်ထည့်ထားသော အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများ၏ ပြိုကွဲခြင်း သို့မဟုတ် ဓာတ်ပြုခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းပြီး မူလနေရာတွင် လစ်လပ်နေရာများကျန်ရှိနေခြင်းကို ရည်ညွှန်းသည်။ အပေါက်များသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များပြင်ဆင်ရန် အသုံးများသော ဓာတုဗေဒနည်းလမ်းများတွင် အပေါက်များဖွဲ့စည်းသည့် အေးဂျင့်ထည့်သွင်းခြင်းနည်းလမ်း၊ အော်ဂဲနစ်အမြှုပ်စိမ့်ဝင်ခြင်းနည်းလမ်းနှင့် ဇီဝဗေဒဆိုင်ရာပုံစံနည်းလမ်း စသည်တို့ ပါဝင်သည်။
၂.၁ အော်ဂဲနစ်အမြှုပ်စိမ်ခြင်း
အော်ဂဲနစ်အမြှုပ်စိမ့်ဝင်စေသည့်နည်းလမ်းတွင် အော်ဂဲနစ်အမြှုပ်ကို ပုံစံခွက်အဖြစ်အသုံးပြုခြင်း၊ ပြင်ဆင်ထားသောကြွေရည်ကို ပုံစံခွက်ပေါ်တွင် ညီညာစွာဖုံးအုပ်ခြင်း သို့မဟုတ် လေထုတ်ရန်အတွက် ပုံစံခွက်ကို အရည်ထဲတွင်နှစ်ခြင်း၊ အရည်သည် အော်ဂဲနစ်အမြှုပ်ပုံစံခွက်နှင့် ညီညာစွာကပ်နေကြောင်းသေချာစေခြင်း ပါဝင်သည်။ ထို့နောက် အခြောက်ခံခြင်းနှင့် အပူချိန်မြင့်မားစွာ အပူပေးခြင်းဖြင့် အော်ဂဲနစ်ပုံစံခွက်ကို ဖယ်ရှားပြီး အပေါက်များသော ကြွေထည်များကို ရရှိစေပါသည်။
ဤနည်းလမ်း၏ အထင်ရှားဆုံး အားနည်းချက်မှာ အပေါက်ငယ်များဖြင့် ပိတ်ထားသော porosity ထုတ်ကုန်များကို မထုတ်လုပ်နိုင်ခြင်း ဖြစ်သည်။ ပုံသဏ္ဍာန်သည် ကန့်သတ်ထားပြီး preform ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများက များစွာ သက်ရောက်မှုရှိသည်။ ပြင်ဆင်ထားသော porous ကြွေပစ္စည်းများ၏ သိပ်သည်းဆနှင့် ခိုင်ခံ့မှုကိုလည်း ထိန်းချုပ်ရန် ခက်ခဲသည်။
၂.၂ အပေါက်များဖွဲ့စည်းပေးသည့် ပစ္စည်းများထည့်သွင်းခြင်းနည်းလမ်း
အပေါက်ဖွဲ့စည်းစေသော အရာများထည့်သွင်းခြင်းဖြင့် porous silicon carbide ကြွေထည်များပြင်ဆင်ခြင်းတွင် pore-forming agent များကို silicon carbide အမှုန့် သို့မဟုတ် precursors များထဲသို့ထည့်ပြီးနောက် နောက်ဆက်တွဲလုပ်ငန်းစဉ်များမှတစ်ဆင့် pore-forming agent များကိုဖယ်ရှားခြင်းပါဝင်သည်။ ရလဒ်အနေဖြင့် pore-forming agent များမှ မူလကနေရာယူထားသောနေရာများသည် pore များဖြစ်ပေါ်စေပြီးနောက် အပူပေးခြင်းနှင့် sintering ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် porous ကြွေထည်များဖွဲ့စည်းသည်။ ထို့ကြောင့် pore-forming agent အမျိုးအစားနှင့်ဆေးပမာဏကိုပြောင်းလဲခြင်းဖြင့် porous ကြွေထည်များ၏ porosity၊ pore morphology၊ pore အရွယ်အစားနှင့်ဖြန့်ဖြူးမှုကိုအဆင်ပြေစွာထိန်းချုပ်နိုင်သည်။ pore-forming agent အမျိုးအစားများသည် သဘာဝ သို့မဟုတ် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ အော်ဂဲနစ်ပိုလီမာများ၊ အရည်များ၊ ဆားများ၊ ကြွေထည်များ သို့မဟုတ် အခြားအမှုန့်များ အပါအဝင် အလွန်ကျယ်ပြန့်သည်။ pore-forming agent အမျိုးမျိုး၏ဖယ်ရှားခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များသည် ကွဲပြားသည်။ အော်ဂဲနစ်ပိုလီမာ pore-forming agent များကို အပူပေးခြင်းနှင့်ပြိုကွဲခြင်းဖြင့် ဖယ်ရှားလေ့ရှိပြီး အရည် pore-forming agent များကို ပုံဆောင်ခဲများဖြစ်ပေါ်စေခြင်းနှင့် sublimation မှတစ်ဆင့် ဖယ်ရှားနိုင်သည်၊ ဆားများကို ရေစစ်ထုတ်ခြင်းဖြင့် ဖယ်ရှားနိုင်ပြီး ကြွေမှုန့်များကို သင့်လျော်သောဖြေရှင်းချက်စစ်ထုတ်ခြင်းဖြင့် ဖယ်ရှားနိုင်သည်။
၂.၃ ဇီဝဗေဒဆိုင်ရာ ပုံစံနည်းလမ်း
ဇီဝပစ္စည်းများရှိ အဏုကြည့်မှန်ပြောင်းဖြင့်သာမြင်နိုင်သော အပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံသည် ဓာတုပစ္စည်းများနှင့် သိသိသာသာကွာခြားသည်။ ၎င်း၏ထူးခြားသောဖွဲ့စည်းပုံကြောင့်၊ သက်ရှိများကို ပုံစံများအဖြစ်အသုံးပြု၍ အလားတူဖွဲ့စည်းပုံများဖြင့် အပေါက်များသော ကြွေပစ္စည်းများပြင်ဆင်ခြင်းသည် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အာရုံစိုက်မှုကို ရရှိခဲ့သည် [10]။ ဇီဝဗေဒဆိုင်ရာပုံစံနည်းလမ်းနှင့် အော်ဂဲနစ်အမြှုပ်စိမ့်ဝင်ခြင်းနည်းလမ်းသည် ဆင်တူယိုးမှားမှုများရှိသည်။ အော်ဂဲနစ်အမြှုပ်စိမ့်ဝင်ခြင်းနည်းလမ်းသည် အတုရေမြှုပ်ကို ပုံစံအဖြစ်အသုံးပြုပြီး ဇီဝဗေဒဆိုင်ရာပုံစံနည်းလမ်းသည် သဘာဝသက်ရှိများကို ပုံစံအဖြစ်အသုံးပြုသည်။
အပေါက်ငယ်များပါသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များပြင်ဆင်ရန် ဇီဝဗေဒဆိုင်ရာပုံစံနည်းလမ်းသည် ရိုးရှင်းသောလုပ်ငန်းစဉ်နှင့် ကုန်ကျစရိတ်နည်းပါးခြင်း၏ အားသာချက်များရှိသည်။ ၎င်းသည် ရှုပ်ထွေးသောပုံသဏ္ဍာန်ရှိသော ကြွေထည်များကို ထုတ်လုပ်နိုင်ပြီး သဘာဝဇီဝဗေဒဆိုင်ရာပစ္စည်းများ၏ဖွဲ့စည်းပုံကို အကြီးမားဆုံးအတိုင်းအတာအထိ ပုံတူကူးယူနိုင်သည်။ သို့သော် ဇီဝဗေဒဆိုင်ရာပုံစံသည် အပူချိန်မြင့်မားသော ကာဗွန်ဓာတ်ပြုမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အက်ကွဲလွယ်ပြီး အပေါက်ငယ်များပါသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များ၏ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများအပေါ် သိသာထင်ရှားသောသက်ရောက်မှုရှိသည်။ ထို့အပြင် ပြင်ဆင်ထားသော အပေါက်ငယ်များပါသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များ၏ အပေါက်ဖွဲ့စည်းပုံသည် ဇီဝဗေဒဆိုင်ရာပုံစံ၏ အဏုကြည့်ဖွဲ့စည်းပုံပေါ်တွင် အဓိကမူတည်ပြီး ၎င်း၏ဒီဇိုင်းစွမ်းရည်ညံ့ဖျင်းသည်။ ထို့အပြင် ဤနည်းလမ်းတွင် SiC ၏ ပြောင်းလဲမှုထိရောက်မှုနည်းပါးခြင်း၊ SiC ဓာတ်ပြုမှုအလွှာ အလွယ်တကူကွာကျခြင်းနှင့် ပြင်ဆင်မှုစက်ဝန်းရှည်လျားခြင်းကဲ့သို့သော အားနည်းချက်အချို့လည်းရှိသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၅ ခုနှစ်၊ ဇူလိုင်လ ၂၂ ရက်