-
Каковы технические препятствия для использования карбида кремния?
Первое поколение полупроводниковых материалов представлено традиционными кремнием (Si) и германием (Ge), которые являются основой для производства интегральных схем. Они широко используются в низковольтных, низкочастотных и маломощных транзисторах и детекторах. Более 90% полупроводниковой продукции...Читать далее -
Как изготавливается микропорошок SiC?
Монокристалл SiC — это полупроводниковый материал группы IV-IV, состоящий из двух элементов, Si и C, в стехиометрическом соотношении 1:1. Его твердость уступает только алмазу. Метод восстановления оксида кремния углеродом для получения SiC в основном основан на следующей формуле химической реакции...Читать далее -
Как эпитаксиальные слои помогают полупроводниковым приборам?
Происхождение названия эпитаксиальная пластина Сначала давайте популяризируем небольшую концепцию: подготовка пластины включает в себя два основных звена: подготовку подложки и эпитаксиальный процесс. Подложка представляет собой пластину, изготовленную из полупроводникового монокристаллического материала. Подложка может напрямую поступать на производство пластин...Читать далее -
Введение в технологию осаждения тонких пленок методом химического осаждения из паровой фазы (CVD)
Химическое осаждение из газовой фазы (CVD) — важная технология осаждения тонких пленок, часто используемая для получения различных функциональных пленок и тонкослойных материалов, а также широко применяемая в производстве полупроводников и других областях. 1. Принцип работы CVD В процессе CVD прекурсор газа (один или...Читать далее -
Секрет «черного золота» в фотоэлектрической полупроводниковой промышленности: потребность и зависимость от изостатического графита
Изостатический графит является очень важным материалом в фотоэлектричестве и полупроводниках. С быстрым ростом отечественных компаний по производству изостатического графита монополия иностранных компаний в Китае была разрушена. Благодаря постоянным независимым исследованиям и разработкам, а также технологическим прорывам, ...Читать далее -
Раскрытие основных характеристик графитовых лодочек в производстве полупроводниковой керамики
Графитовые лодочки, также известные как графитовые лодочки, играют важную роль в сложных процессах производства полупроводниковой керамики. Эти специализированные сосуды служат надежными носителями полупроводниковых пластин во время высокотемпературной обработки, обеспечивая точную и контролируемую обработку. С ...Читать далее -
Подробно объясняется внутренняя структура оборудования печной трубы.
Как показано выше, типичная первая половина: ▪ Нагревательный элемент (нагревательная спираль): расположен вокруг трубы печи, обычно изготовлен из резистивных проводов, используется для нагрева внутренней части трубы печи. ▪ Кварцевая трубка: сердечник горячей окислительной печи, изготовлен из кварца высокой чистоты, который может выдерживать высокие...Читать далее -
Влияние подложки SiC и эпитаксиальных материалов на характеристики МОП-транзисторов
Треугольный дефект Треугольные дефекты являются наиболее фатальными морфологическими дефектами в эпитаксиальных слоях SiC. Большое количество литературных отчетов показало, что образование треугольных дефектов связано с формой кристалла 3C. Однако из-за различных механизмов роста морфология многих...Читать далее -
Выращивание монокристалла карбида кремния SiC
С момента своего открытия карбид кремния привлек к себе всеобщее внимание. Карбид кремния состоит из половины атомов Si и половины атомов C, которые соединены ковалентными связями через электронные пары, разделяющие гибридные орбитали sp3. В основной структурной единице его монокристалла четыре атома Si представляют собой...Читать далее