English

Новости

  • В чём заключается механизм выравнивания поверхности при химико-механической полировке (CMP)?

    В чём заключается механизм выравнивания поверхности при химико-механической полировке (CMP)?

    Двухслойная дамасская технология — это технологический процесс, используемый для изготовления металлических межсоединений в интегральных схемах. Она представляет собой дальнейшее развитие дамасской технологии. Благодаря одновременному формированию сквозных отверстий и канавок на одном и том же технологическом этапе и их заполнению металлом, осуществляется интегрированное производство металлических межсоединений...
    Читать далее
  • Графит с покрытием из TaC

    Графит с покрытием из TaC

    I. Исследование параметров процесса 1. Система TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Температура осаждения: Согласно термодинамической формуле, рассчитано, что при температуре выше 1273 К свободная энергия Гиббса реакции очень низка, и реакция протекает относительно полно. ...
    Читать далее
  • Технология и оборудование для выращивания кристаллов карбида кремния

    Технология и оборудование для выращивания кристаллов карбида кремния

    1. Технология выращивания кристаллов SiC: PVT (сублимационный метод), HTCVD (высокотемпературное химическое осаждение из газовой фазы) и LPE (метод жидкофазного осаждения) — три распространенных метода выращивания кристаллов SiC; наиболее признанным в отрасли является метод PVT, и более 95% монокристаллов SiC выращиваются именно с его помощью...
    Читать далее
  • Получение и улучшение характеристик пористых кремнийуглеродных композитных материалов

    Получение и улучшение характеристик пористых кремнийуглеродных композитных материалов

    Литий-ионные батареи в основном разрабатываются в направлении высокой плотности энергии. При комнатной температуре материалы отрицательного электрода на основе кремния сплавляются с литием, образуя богатый литием продукт — фазу Li3.75Si, с удельной емкостью до 3572 мАч/г, что значительно выше теоретического значения...
    Читать далее
  • Термическое окисление монокристаллического кремния

    Термическое окисление монокристаллического кремния

    Образование диоксида кремния на поверхности кремния называется окислением, а создание стабильного и прочно прилегающего диоксида кремния привело к появлению планарной технологии кремниевых интегральных схем. Хотя существует множество способов выращивания диоксида кремния непосредственно на поверхности кремния...
    Читать далее
  • УФ-обработка для упаковки на уровне пластины методом веерного распределения

    УФ-обработка для упаковки на уровне пластины методом веерного распределения

    Технология корпусирования на уровне пластины с разветвлением (Fawn out wafer level packaging, FOWLP) является экономически эффективным методом в полупроводниковой промышленности. Однако типичными побочными эффектами этого процесса являются деформация и смещение кристалла. Несмотря на постоянное совершенствование технологий корпусирования на уровне пластины и панели, эти проблемы, связанные с формованием, по-прежнему существуют...
    Читать далее
  • Керамика из карбида кремния: окончательный вывод из употребления кварцевых фотоэлектрических компонентов.

    Керамика из карбида кремния: окончательный вывод из употребления кварцевых фотоэлектрических компонентов.

    В условиях непрерывного развития современного мира запасы невозобновляемых источников энергии истощаются все больше, и для человеческого общества становится все более актуальной задача использования возобновляемых источников энергии, представленных «ветром, светом, водой и ядерной энергией». По сравнению с другими возобновляемыми источниками энергии, человечество...
    Читать далее
  • Процесс получения керамики из карбида кремния методом реакционного и безнапорного спекания

    Процесс получения керамики из карбида кремния методом реакционного и безнапорного спекания

    Реакционное спекание. Процесс производства керамики из карбида кремния методом реакционного спекания включает в себя уплотнение керамики, уплотнение с помощью флюса для спекания, подготовку изделия из керамики методом реакционного спекания, подготовку керамики из карбида кремния и другие этапы. Реакционное спекание кремния...
    Читать далее
  • Керамика из карбида кремния: прецизионные компоненты, необходимые для полупроводниковых процессов.

    Керамика из карбида кремния: прецизионные компоненты, необходимые для полупроводниковых процессов.

    Технология фотолитографии в основном сосредоточена на использовании оптических систем для экспонирования схемных рисунков на кремниевых пластинах. Точность этого процесса напрямую влияет на производительность и выход годных интегральных схем. Литографическая машина, являясь одним из важнейших элементов оборудования для производства микросхем, включает в себя...
    Читать далее
<<< Предыдущая6789101112Далее >>> Страница 9 / 67
Онлайн-чат в WhatsApp!