English

Новости

  • Может ли алмаз заменить другие мощные полупроводниковые устройства?

    Может ли алмаз заменить другие мощные полупроводниковые устройства?

    Полупроводниковые материалы, являясь краеугольным камнем современных электронных устройств, претерпевают беспрецедентные изменения. Сегодня алмаз постепенно демонстрирует свой огромный потенциал в качестве полупроводникового материала четвертого поколения благодаря своим превосходным электрическим и тепловым свойствам, а также стабильности в экстремальных условиях...
    Читать далее
  • В чём заключается механизм выравнивания поверхности при химико-механической полировке (CMP)?

    В чём заключается механизм выравнивания поверхности при химико-механической полировке (CMP)?

    Двухслойная дамасская технология — это технологический процесс, используемый для изготовления металлических межсоединений в интегральных схемах. Она представляет собой дальнейшее развитие дамасской технологии. Благодаря одновременному формированию сквозных отверстий и канавок на одном и том же технологическом этапе и их заполнению металлом, осуществляется интегрированное производство металлических межсоединений...
    Читать далее
  • Графит с покрытием из TaC

    Графит с покрытием из TaC

    I. Исследование параметров процесса 1. Система TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Температура осаждения: Согласно термодинамической формуле, рассчитано, что при температуре выше 1273 К свободная энергия Гиббса реакции очень низка, и реакция протекает относительно полно. ...
    Читать далее
  • Технология и оборудование для выращивания кристаллов карбида кремния

    Технология и оборудование для выращивания кристаллов карбида кремния

    1. Технология выращивания кристаллов SiC: PVT (сублимационный метод), HTCVD (высокотемпературное химическое осаждение из газовой фазы) и LPE (метод жидкофазного осаждения) — три распространенных метода выращивания кристаллов SiC; наиболее признанным в отрасли является метод PVT, и более 95% монокристаллов SiC выращиваются именно с его помощью...
    Читать далее
  • Получение и улучшение характеристик пористых кремнийуглеродных композитных материалов

    Получение и улучшение характеристик пористых кремнийуглеродных композитных материалов

    Литий-ионные батареи в основном разрабатываются в направлении высокой плотности энергии. При комнатной температуре материалы отрицательного электрода на основе кремния сплавляются с литием, образуя богатый литием продукт — фазу Li3.75Si, с удельной емкостью до 3572 мАч/г, что значительно выше теоретического значения...
    Читать далее
  • Термическое окисление монокристаллического кремния

    Термическое окисление монокристаллического кремния

    Образование диоксида кремния на поверхности кремния называется окислением, а создание стабильного и прочно прилегающего диоксида кремния привело к появлению планарной технологии кремниевых интегральных схем. Хотя существует множество способов выращивания диоксида кремния непосредственно на поверхности кремния...
    Читать далее
  • УФ-обработка для упаковки на уровне пластины методом веерного распределения

    УФ-обработка для упаковки на уровне пластины методом веерного распределения

    Технология корпусирования на уровне пластины с разветвлением (Fawn out wafer level packaging, FOWLP) является экономически эффективным методом в полупроводниковой промышленности. Однако типичными побочными эффектами этого процесса являются деформация и смещение кристалла. Несмотря на постоянное совершенствование технологий корпусирования на уровне пластины и панели, эти проблемы, связанные с формованием, по-прежнему существуют...
    Читать далее
  • Керамика из карбида кремния: окончательный вывод из употребления кварцевых фотоэлектрических компонентов.

    Керамика из карбида кремния: окончательный вывод из употребления кварцевых фотоэлектрических компонентов.

    В условиях непрерывного развития современного мира запасы невозобновляемых источников энергии истощаются все больше, и для человеческого общества становится все более актуальной задача использования возобновляемых источников энергии, представленных «ветром, светом, водой и ядерной энергией». По сравнению с другими возобновляемыми источниками энергии, человечество...
    Читать далее
  • Процесс получения керамики из карбида кремния методом реакционного и безнапорного спекания

    Процесс получения керамики из карбида кремния методом реакционного и безнапорного спекания

    Реакционное спекание. Процесс производства керамики из карбида кремния методом реакционного спекания включает в себя уплотнение керамики, уплотнение с помощью флюса для спекания, подготовку изделия из керамики методом реакционного спекания, подготовку керамики из карбида кремния и другие этапы. Реакционное спекание кремния...
    Читать далее
<<< Предыдущая891011121314Далее >>> Страница 11 / 69
Онлайн-чат в WhatsApp!