Çinli Üretici SiC Kaplı Grafit MOCVD Epitaksi Süseptör

Çinli Üretici SiC Kaplı Grafit MOCVD Epitaksi Susceptor Öne Çıkan Görsel

Kısa Açıklama:

Saflık < 5 ppm
‣ İyi doping homojenliği
‣ Yüksek yoğunluk ve yapışma
‣ İyi korozyon önleyici ve karbon direnci

‣ Profesyonel özelleştirme
‣ Kısa teslim süresi
‣ İstikrarlı arz
‣ Kalite kontrolü ve sürekli iyileştirme

Safir üzerinde GaN'nin epitaksisi(RGB/Mini/Mikro LED);
Si alt tabaka üzerinde GaN'nin epitaksisi(UVC);
Si alt tabaka üzerinde GaN'nin epitaksisi(Elektronik Cihaz);
Si alt tabaka üzerinde Si'nin epitaksisi(Entegre devre);
SiC Alt Tabaka Üzerine SiC Epitaksisi(Alt tabaka);
InP'nin InP üzerine epitaksisi

Bize e-posta gönderin PDF olarak indir

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Çin'den yüksek kaliteli MOCVD Susceptor satın almak

Bir silikon levhanın elektronik cihazlarda kullanılmaya hazır hale gelmeden önce birkaç aşamadan geçmesi gerekir. Önemli süreçlerden biri, levhaların grafit taşıyıcılar üzerinde taşındığı silikon epitaksi işlemidir. Taşıyıcıların özellikleri ve kalitesi, levhanın epitaksiyel tabakasının kalitesi üzerinde çok önemli bir etkiye sahiptir.

Epitaksi veya MOCVD gibi ince film biriktirme aşamaları için VET, alt tabakaları veya "plakaları" desteklemek için kullanılan ultra saf grafit ekipman tedarik etmektedir. Sürecin özünde yer alan bu ekipman, epitaksi destek platformları veya MOCVD için uydu platformları, öncelikle biriktirme ortamına maruz bırakılır:

● Yüksek sıcaklık.
● Yüksek vakum.
● Aşındırıcı gaz halindeki öncül maddelerin kullanımı.
● Sıfır kirlenme, soyulma olmaması.
● Temizlik işlemleri sırasında güçlü asitlere karşı direnç

VET Energy, yarı iletken ve fotovoltaik endüstrisi için özel kaplamalı grafit ve silisyum karbür ürünlerinin gerçek üreticisidir. Teknik ekibimiz, yurt içi önde gelen araştırma kurumlarından gelmekte olup, size daha profesyonel malzeme çözümleri sunabilir.

Sürekli olarak daha gelişmiş malzemeler sağlamak için ileri süreçler geliştiriyoruz ve kaplama ile alt tabaka arasındaki bağı daha sıkı ve ayrılmaya daha az eğilimli hale getirebilen özel, patentli bir teknoloji geliştirdik.

Ürünlerimizin özellikleri:

1. 1700℃'ye kadar yüksek sıcaklık oksidasyon direnci.
2. Yüksek saflık ve termal homojenlik
3. Mükemmel korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktiflere karşı dayanıklıdır.
4. Yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.
5. Daha uzun kullanım ömrü ve daha dayanıklı

CVD SiC CVD SiC'nin temel fiziksel özelliklerikaplama
Mülk	Tipik Değer
Kristal Yapısı	FCC β fazı polikristalin, esas olarak (111) yönelimli
Yoğunluk	3,21 g/cm³
Sertlik	2500 Vickers sertlik (500 g yük)
Tane Boyutu	2~10 μm
Kimyasal Saflık	99.99995%
Isı Kapasitesi	640 J·kg^-1K^-1
Süblimasyon Sıcaklığı	2700℃
Eğilme Mukavemeti	415 MPa RT 4 noktalı
Young Modülü	430 Gpa 4 noktalı büküm, 1300℃
Isı İletkenliği	300W·m^-1K^-1
Termal Genleşme (CTE)	4,5×10^-6K^-1