Çin Üretici SiC Kaplamalı Grafit MOCVD Epitaksi Süspansiyon

Kısa Açıklama:

Saflık < 5ppm
‣ İyi doping homojenliği
‣ Yüksek yoğunluk ve yapışma
‣ İyi korozyon önleyici ve karbon direnci

‣ Profesyonel özelleştirme
‣ Kısa teslim süresi
‣ İstikrarlı tedarik
‣ Kalite kontrol ve sürekli iyileştirme

Safir Üzerindeki GaN'ın Epitaksisi(RGB/Mini/Mikro LED);
Si Substrat Üzerindeki GaN'nin Epitaksisi(UVK);
Si Substrat Üzerindeki GaN'nin Epitaksisi(Elektronik Cihaz);
Si Substrat Üzerindeki Si'nin Epitaksisi(Entegre devre);
SiC Substrat Üzerindeki SiC'nin Epitaksisi(Alt tabaka);
InP'nin InP üzerindeki epitaksisi

Bize e-posta gönderin PDF olarak indir

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Yüksek kaliteli MOCVD Susceptor Çin'de çevrimiçi satın alma

Bir wafer, elektronik cihazlarda kullanılmaya hazır hale gelmeden önce birkaç aşamadan geçmelidir. Önemli bir işlem, wafer'ların grafit suseptörler üzerinde taşındığı silikon epitaksidir. Suseptörlerin özellikleri ve kalitesi, wafer'ın epitaksiyel tabakasının kalitesi üzerinde önemli bir etkiye sahiptir.

Epitaksi veya MOCVD gibi ince film biriktirme aşamaları için VET, alt tabakaları veya "wafer'ları" desteklemek için kullanılan ultra saf grafit ekipmanı sağlar. Sürecin merkezinde, bu ekipman, epitaksi reseptörleri veya MOCVD için uydu platformları, önce biriktirme ortamına tabi tutulur:

● Yüksek ateş.
● Yüksek vakum.
● Agresif gaz öncüllerinin kullanımı.
● Sıfır kirlenme, soyulma yok.
● Temizlik işlemleri sırasında güçlü asitlere karşı direnç

VET Energy, yarı iletken ve fotovoltaik endüstrisi için kaplamalı özelleştirilmiş grafit ve silikon karbür ürünlerinin gerçek üreticisidir. Teknik ekibimiz, en iyi yerel araştırma kurumlarından gelir ve sizin için daha profesyonel malzeme çözümleri sağlayabilir.

Daha gelişmiş malzemeler sunmak için sürekli olarak gelişmiş prosesler geliştiriyoruz ve kaplama ile alt tabaka arasındaki bağı daha sıkı hale getirebilen ve ayrılmaya daha az eğilimli hale getirebilen özel, patentli bir teknoloji geliştirdik.

Ürünlerimizin özellikleri:

1. 1700℃'ye kadar yüksek sıcaklık oksidasyon direnci.
2. Yüksek saflık ve termal homojenlik
3. Mükemmel korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.
4. Yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.
5. Daha uzun hizmet ömrü ve daha dayanıklı

CVD SiC CVD SiC'nin temel fiziksel özelliklerikaplama
Mülk	Tipik Değer
Kristal Yapısı	FCC β fazı polikristalin, esas olarak (111) yönelim
Yoğunluk	3,21 gr/cm³
Sertlik	2500 Vickers sertliği (500g yük)
Tane Boyutu	2~10μm
Kimyasal Saflık	%99,99995
Isı Kapasitesi	640 J·kg^-1·K^-1
Süblimleşme Sıcaklığı	2700℃
Eğilme Dayanımı	415 MPa RT 4 nokta
Young Modülü	430 Gpa 4pt dirsek, 1300℃
Isıl İletkenlik	300W·m^-1·K^-1
Termal Genleşme (CTE)	4,5×10^-6K^-1