-
Сучасний стан та тенденції досліджень металізації на поверхнях керамічних підкладок
Після спікання та формування керамічної підкладки її поверхню потрібно металізувати, а потім на поверхню наноситься малюнок за допомогою перенесення зображення, щоб досягти електричних характеристик з'єднання керамічної підкладки. Металізація поверхні є вирішальним кроком у виготовленні керамічних підкладок...Читати далі -
Яка технологія пов'язана з вирощуванням кристалів карбіду кремнію (SiC)?
1. Технологія легування порошку карбіду кремнію. Легування відповідної кількості елемента Ce в порошку карбіду кремнію може досягти ефекту стабільного росту монокристалічної форми 4H-SiC. Практичний досвід показав, що легування елементів Ce в порошкових матеріалах може збільшити швидкість росту ...Читати далі -
Принцип методу PVT для вирощування кристалів карбіду кремнію (SiC)
Метод PVT, повна назва якого — фізичне транспортування паром, є поширеним методом вирощування кристалів карбіду кремнію (SiC) за високої температури та високого тиску. Його основний принцип полягає в нагріванні порошку карбіду кремнію до сублімації за температури вище 2300℃ та в середовищі низького тиску...Читати далі -
Що таке піч для вирощування кристалів карбіду кремнію (SiC)?
Карбід кремнію (SiC) має такі характеристики, як велика заборонена зона, висока теплопровідність, висока критична напруженість пробивного поля та висока швидкість дрейфу електронного насичення. Він може відповідати вимогам застосування в умовах високої температури, високого тиску, високої частоти та високої потужності. Його можна широко використовувати...Читати далі -
Що таке CVD-покриття SiC?
CVD-покриття SiC вражаючою швидкістю змінює межі процесів виробництва напівпровідників. Ця, здавалося б, проста технологія покриття стала ключовим рішенням трьох основних проблем: забруднення частинками, високотемпературної корозії та плазмової ерозії у виробництві мікросхем. ...Читати далі -
Функція та використання кварцового човна
Кварцовий човен, як компонент прецизійного приладу, виготовлений з високочистого кварцового матеріалу, відіграє важливу роль у багатьох галузях, таких як виробництво напівпровідників, оптоелектронна промисловість, хімічний аналіз та високотемпературні експерименти. Його унікальні фізичні та хімічні властивості надають йому широке...Читати далі -
Вплив різних температур на ріст покриття SiC, отриманого методом CVD
Що таке CVD-покриття SiC? Хімічне осадження з парової фази (CVD) – це процес вакуумного осадження, який використовується для отримання високочистих твердих матеріалів. Цей процес часто використовується у виробництві напівпровідників для формування тонких плівок на поверхні пластин. У процесі отримання карбіду кремнію методом CVD...Читати далі -
Що таке сонячний графітовий човен?
У швидко розвиваючій індустрії сонячної фотоелектричної (ФЕ) енергії точність та інновації в матеріалах мають вирішальне значення для підвищення ефективності перетворення енергії. Серед невідомих героїв цього процесу є Solar Graphite Boat, спеціалізований компонент, розроблений для виробництва напівпровідників за високих температур...Читати далі -
Що таке покриття TaC?
У швидко розвиваючій напівпровідниковій промисловості матеріали, що підвищують продуктивність, довговічність та ефективність, є критично важливими. Однією з таких інновацій є покриття з карбіду танталу (TaC) – передовий захисний шар, що наноситься на графітові компоненти. У цьому блозі розглядається визначення покриття TaC, технічні характеристики...Читати далі