خەۋەرلەر

كېرامىكا ئاساسىي يۈزىدىكى مېتاللاشتۇرۇش تەتقىقاتىنىڭ ھازىرقى ئەھۋالى ۋە يۈزلىنىشى
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 25-07-16 كۈنى يوللانغان
كېرامىكا ئاساسى پىششىقلاپ ئىشلەنگەندىن كېيىن، ئۇنىڭ يۈزىنى مېتاللاشتۇرۇش كېرەك، ئاندىن كېرامىكا ئاساسىنىڭ ئېلېكتر ئۇلىنىش ئىقتىدارىغا ئېرىشىش ئۈچۈن رەسىم يۆتكەش ئارقىلىق يۈزەكى نەقىش ياسىلىدۇ. يۈزەكى مېتاللاشتۇرۇش كېرامىكا ئاساسى ياساشتىكى مۇھىم قەدەم ...
كۆپرەك ئوقۇڭ
كرېمنىي كاربىد (SiC) كرىستاللىرىنىڭ ئۆسۈشىگە مۇناسىۋەتلىك تېخنىكا نېمە؟
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 25-07-10 كۈنى يېزىلغان
1. كرېمنىي كاربىد پاراشوكىغا مۇۋاپىق مىقداردا Ce ئېلېمېنتىنى قوشۇش تېخنىكىسى كرېمنىي كاربىد پاراشوكىغا قوشۇش ئارقىلىق 4H-SiC نىڭ يەككە كىرىستال شەكلىنىڭ مۇقىم ئۆسۈش ئۈنۈمىگە ئېرىشكىلى بولىدۇ. ئەمەلىي تەجرىبىلەر شۇنى ئىسپاتلىدىكى، Ce ئېلېمېنتلىرىنى پاراشوك ماتېرىياللىرىغا قوشۇش ئۆسۈش سۈرئىتىنى ئاشۇرالايدۇ ...
كۆپرەك ئوقۇڭ
PVT ئۇسۇلىنىڭ كرېمنىي كاربىد (SiC) كرىستال ئۆستۈرۈش پىرىنسىپى
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 25-07-03 كۈنى يېزىلغان
تولۇق نامى فىزىكىلىق پار توشۇش بولغان PVT ئۇسۇلى يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە يۇقىرى بېسىم ئاستىدا كرېمنىي كاربىد (SiC) كرىستاللىرىنى ئۆستۈرۈشنىڭ كۆپ ئۇچرايدىغان ئۇسۇلى. ئۇنىڭ ئاساسلىق پرىنسىپى كرېمنىي كاربىد پاراشوكىنى 2300 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ۋە تۆۋەن بېسىملىق مۇھىتتا قىزىتىشتىن ئىبارەت...
كۆپرەك ئوقۇڭ
كرېمنىي كاربىد (SiC) كرىستال ئۆستۈرۈش ئوچىقى دېگەن نېمە؟
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 25-06-24 كۈنى يېزىلغان
SiC چوڭ بەلۋاغ بوشلۇقى، يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى، يۇقىرى كرىتىك پارچىلىنىش مەيدانى كۈچلۈكلۈكى ۋە يۇقىرى ئېلېكترون تويۇنۇش سۈرئىتى قاتارلىق ئالاھىدىلىكلەرگە ئىگە. ئۇ يۇقىرى تېمپېراتۇرا، يۇقىرى بېسىم، يۇقىرى چاستوتا ۋە يۇقىرى قۇۋۋەت شارائىتىدا قوللىنىش تەلىپىگە ماس كېلەلەيدۇ. ئۇنى كەڭ كۆلەمدە ئىشلىتىشكە بولىدۇ...
كۆپرەك ئوقۇڭ
CVD SiC قاپلاش دېگەن نېمە؟
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 25-06-09 كۈنى يېزىلغان
CVD SiC قاپلاش تېخنىكىسى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىش جەريانلىرىنىڭ چەكلىمىسىنى ھەيران قالارلىق سۈرئەتتە قايتا شەكىللەندۈرمەكتە. بۇ ئاددىي كۆرۈنگەن قاپلاش تېخنىكىسى زەررىچە بۇلغىنىشى، يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق چىرىش ۋە پلازما ئېروزىيەسى قاتارلىق ئۈچ ئاساسلىق مەسىلىنىڭ ھەل قىلىش چارىسىگە ئايلاندى. ...
كۆپرەك ئوقۇڭ
كۋارتس كېمىسىنىڭ رولى ۋە ئىشلىتىلىشى
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 25-06-04 كۈنى يېزىلغان
كۋارتس كېمىسى يۇقىرى ساپلىقتىكى كۋارتس ماتېرىيالىدىن ياسالغان ئېنىقلىق ئەسۋاب زاپچاسلىرى سۈپىتىدە، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىش، ئوپتوئېلېكترون سانائىتى، خىمىيىلىك ئانالىز ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرا تەجرىبىلىرى قاتارلىق نۇرغۇن ساھەلەردە مۇھىم رول ئوينايدۇ. ئۇنىڭ ئۆزگىچە فىزىكىلىق ۋە خىمىيىلىك خۇسۇسىيەتلىرى ئۇنىڭغا كەڭ دائىرىلىك ئىقتىدار بېرىدۇ...
كۆپرەك ئوقۇڭ
CVD SiC قاپلىمىسىنىڭ ئۆسۈشىگە ھەر خىل تېمپېراتۇرىنىڭ تەسىرى
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 25-05-26 كۈنى يوللانغان
CVD SiC قاپلاش دېگەن نېمە؟ خىمىيىلىك پارغا چۆكتۈرۈش (CVD) يۇقىرى ساپلىقتىكى قاتتىق ماتېرىياللارنى ئىشلەپچىقىرىشتا ئىشلىتىلىدىغان ۋاكۇئۇم چۆكتۈرۈش جەريانى. بۇ جەريان كۆپىنچە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىش ساھەسىدە ۋافلىلارنىڭ يۈزىدە نېپىز پەردە ھاسىل قىلىش ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ. CV ئارقىلىق كرېمنىي كاربىدىنى تەييارلاش جەريانىدا...
كۆپرەك ئوقۇڭ
قۇياش ئېنېرگىيەلىك گرافىت كېمىسى دېگەن نېمە؟
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 25-04-22 كۈنى يېزىلغان
تېز سۈرئەتتە تەرەققىي قىلىۋاتقان قۇياش ئېنېرگىيەسى فوتوۋولت (PV) سانائىتىدە، ئېنېرگىيە ئايلاندۇرۇش ئۈنۈمىنى ئاشۇرۇشتا ئېنىقلىق ۋە ماتېرىيال يېڭىلىقى ئىنتايىن مۇھىم. بۇ جەرياندىكى داڭلىق قەھرىمانلار ئىچىدە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن ئالاھىدە زاپچاس بولغان قۇياش گرافىت كېمىسى بار...
كۆپرەك ئوقۇڭ
TaC قاپلاش دېگەن نېمە؟
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 25-04-10 كۈنى يېزىلغان
تېز سۈرئەتتە تەرەققىي قىلىۋاتقان يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سانائىتىدە، ئىقتىدار، چىدامچانلىق ۋە ئۈنۈمنى ئاشۇرىدىغان ماتېرىياللار ئىنتايىن مۇھىم. بۇنداق يېڭىلىقلارنىڭ بىرى تانتال كاربىد (TaC) قاپلىمى بولۇپ، گرافىت تەركىبلىرىگە قوللىنىلىدىغان ئەڭ ئىلغار قوغداش قەۋىتى. بۇ بىلوگ TaC قاپلىمىسىنىڭ ئېنىقلىمىسى، تېخنىكىلىق...
كۆپرەك ئوقۇڭ