Жаңылыктар

Керамикалык субстрат беттериндеги металлдаштыруу изилдөөлөрүнүн учурдагы абалы жана тенденциясы
админ тарабынан 25-07-16 күнү жарыяланган
Керамикалык субстрат бышырып, калыпка салынгандан кийин, анын бетин металлдаштыруу керек, андан кийин керамикалык субстраттын электрдик туташуу көрсөткүчүнө жетүү үчүн сүрөттү өткөрүп берүү аркылуу беттик үлгү жасалат. Беттик металлдаштыруу керамикалык субстраттарды жасоодо маанилүү кадам болуп саналат...
Көбүрөөк окуу
Кремний карбидинин (SiC) кристаллдарынын өсүшүнө байланыштуу технология деген эмне?
админ тарабынан 25-07-10 күнү жарыяланган
1. Кремний карбид порошогун легирлөө технологиясы Кремний карбид порошогуна тиешелүү өлчөмдөгү Ce элементин легирлөө 4H-SiC монокристаллдык формасынын туруктуу өсүшүнө алып келет. Практикалык тажрыйба көрсөткөндөй, порошок материалдарына Ce элементтерин легирлөө өсүү ылдамдыгын жогорулата алат...
Көбүрөөк окуу
Кремний карбидин (SiC) кристаллдарын өстүрүү ыкмасынын принциби
админ тарабынан 25-07-03 күнү жарыяланган
Толук аталышы Физикалык буу ташуу болгон PVT ыкмасы жогорку температурада жана жогорку басым астында кремний карбидинин (SiC) кристаллдарын өстүрүүнүн кеңири таралган ыкмасы болуп саналат. Анын негизги принциби - кремний карбид порошогун 2300℃ жогору температурада жана төмөнкү басымдагы чөйрөдө сублимациялоо үчүн ысытуу...
Көбүрөөк окуу
Кремний карбиди (SiC) кристалл өстүрүүчү меш деген эмне?
админ тарабынан 25-06-24 күнү жарыяланган
SiC чоң тилкелүү аралыгы, жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүгү, жогорку критикалык бузулуу талаасынын күчтүүлүгү жана жогорку электрондордун каныккандыгынын дрейф ылдамдыгы сыяктуу мүнөздөмөлөргө ээ. Ал жогорку температура, жогорку басым, жогорку жыштык жана жогорку кубаттуулук шарттарында колдонуу талаптарына жооп бере алат. Аны кеңири колдонсо болот...
Көбүрөөк окуу
CVD SiC каптоо деген эмне?
админ тарабынан 25-06-09 күнү жарыяланган
CVD SiC каптоосу жарым өткөргүчтөрдү өндүрүү процесстеринин чектерин таң калыштуу ылдамдыкта өзгөртүп жатат. Бул жөнөкөй көрүнгөн каптоо технологиясы чип өндүрүшүндөгү бөлүкчөлөрдүн булганышы, жогорку температурадагы коррозия жана плазма эрозиясынын үч негизги көйгөйүнө негизги чечим болуп калды. ...
Көбүрөөк окуу
Кварц кайыгынын функциясы жана колдонулушу
админ тарабынан 25-06-04 күнү жарыяланган
Кварц кайыгы, жогорку тазалыктагы кварц материалынан жасалган тактыктагы аспаптын компоненти катары, жарым өткөргүчтөрдү өндүрүү, оптоэлектроника өнөр жайы, химиялык анализ жана жогорку температурадагы эксперименттер сыяктуу көптөгөн тармактарда маанилүү ролду ойнойт. Анын уникалдуу физикалык жана химиялык касиеттери ага кеңири мүмкүнчүлүк берет...
Көбүрөөк окуу
CVD SiC каптамасынын өсүшүнө ар кандай температуралардын таасири
админ тарабынан 25-05-26 күнү жарыяланган
CVD SiC каптоо деген эмне? Химиялык буу менен чөктүрүү (CVD) - бул жогорку тазалыктагы катуу материалдарды өндүрүү үчүн колдонулган вакуумдук чөктүрүү процесси. Бул процесс көбүнчө жарым өткөргүчтөрдү өндүрүү тармагында пластиналардын бетинде жука пленкаларды түзүү үчүн колдонулат. CVD аркылуу кремний карбидин даярдоо процессинде...
Көбүрөөк окуу
Күн энергиясы менен иштеген графит кайыгы деген эмне?
админ тарабынан 25-04-22 күнү жарыяланган
Тез өнүгүп жаткан күн фотоэлектрдик (ФЭ) тармагында тактык жана материалдык инновациялар энергияны конвертациялоонун натыйжалуулугун жогорулатуу үчүн абдан маанилүү. Бул процесстеги атагы чыкпаган баатырлардын арасында жогорку температурадагы жарым өткөргүчтөрдү өндүрүү үчүн иштелип чыккан атайын компонент болгон Күн графит кайыгы бар...
Көбүрөөк окуу
TaC каптоо деген эмне?
админ тарабынан 25-04-10 күнү жарыяланган
Тез өнүгүп жаткан жарым өткөргүчтөр тармагында иштин натыйжалуулугун, бышыктыгын жана натыйжалуулугун жогорулаткан материалдар абдан маанилүү. Мындай инновациялардын бири - графит компоненттерине колдонулган заманбап коргоочу катмар болгон тантал карбиди (TaC) каптоо. Бул блог TaC каптоосунун аныктамасын, техникалык...
Көбүрөөк окуу