Ştiri

Situația actuală și tendințele cercetării metalizării pe suprafețe de substrat ceramic
de admin pe 25-07-16
După ce substratul ceramic este sinterizat și format, suprafața sa trebuie metalizată, iar apoi modelul de suprafață este realizat prin transfer de imagine pentru a obține performanța de conectare electrică a substratului ceramic. Metalizarea suprafeței este o etapă crucială în fabricarea substraturilor ceramice...
Citeşte mai mult
Care este tehnologia legată de creșterea cristalelor de carbură de siliciu (SiC)
de admin pe 25-07-10
1. Tehnologia de dopare cu pulbere de carbură de siliciu Doparea unei cantități adecvate de element Ce în pulberea de carbură de siliciu poate obține efectul de creștere stabilă a formei monocristaline de 4H-SiC. Experiența practică a arătat că doparea elementelor Ce în materialele pulverulente poate crește rata de creștere...
Citeşte mai mult
Principiul metodei PVT pentru creșterea cristalelor de carbură de siliciu (SiC)
de admin pe 25-07-03
Metoda PVT, al cărei nume complet este Transport fizic al vaporilor, este o metodă comună pentru creșterea cristalelor de carbură de siliciu (SiC) la temperatură și presiune ridicate. Principiul său de bază este încălzirea pulberii de carbură de siliciu până la sublimare la o temperatură peste 2300 ℃ și într-un mediu cu presiune scăzută...
Citeşte mai mult
Ce este un cuptor de creștere a cristalelor de carbură de siliciu (SiC)?
de admin pe 25-06-24
SiC are caracteristici precum o bandă interzisă mare, conductivitate termică ridicată, intensitate mare a câmpului de străpungere critică și rată mare de derivă a saturației electronilor. Poate îndeplini cerințele aplicației în condiții de temperatură ridicată, presiune ridicată, frecvență ridicată și putere mare. Poate fi utilizat pe scară largă...
Citeşte mai mult
Ce este acoperirea CVD cu SiC?
de admin pe 25-06-09
Acoperirea CVD cu SiC remodelează limitele proceselor de fabricație a semiconductorilor într-un ritm uimitor. Această tehnologie de acoperire aparent simplă a devenit o soluție cheie pentru cele trei provocări principale ale contaminării cu particule, coroziunii la temperaturi înalte și eroziunii plasmatice în fabricarea cipurilor. ...
Citeşte mai mult
Funcția și utilizarea bărcii de cuarț
de admin pe 25-06-04
Barca de cuarț, ca și componentă a unui instrument de precizie fabricat din material de cuarț de înaltă puritate, joacă un rol important în multe domenii, cum ar fi fabricarea semiconductorilor, industria optoelectronică, analiza chimică și experimentele la temperaturi înalte. Proprietățile sale fizice și chimice unice îi conferă o gamă largă...
Citeşte mai mult
Efectul diferitelor temperaturi asupra creșterii acoperirii cu SiC prin CVD
de admin pe 25-05-26
Ce este acoperirea CVD cu SiC? Depunerea chimică în stare de vapori (CVD) este un proces de depunere în vid utilizat pentru a produce materiale solide de înaltă puritate. Acest proces este adesea utilizat în domeniul fabricării semiconductorilor pentru a forma pelicule subțiri pe suprafața napolitanelor. În procesul de preparare a carburii de siliciu prin CV...
Citeşte mai mult
Ce este o barcă solară din grafit?
de admin pe 25-04-22
În industria fotovoltaică solară (PV), aflată în rapidă evoluție, precizia și inovația materialelor sunt esențiale pentru creșterea eficienței conversiei energiei. Printre eroii necunoscuți ai acestui proces se numără Solar Graphite Boat, o componentă specializată concepută pentru fabricarea semiconductorilor la temperatură înaltă...
Citeşte mai mult
Ce este acoperirea TaC?
de admin pe 25-04-10
În industria semiconductorilor, aflată în rapidă evoluție, materialele care îmbunătățesc performanța, durabilitatea și eficiența sunt esențiale. O astfel de inovație este acoperirea cu carbură de tantal (TaC), un strat protector de ultimă generație aplicat componentelor din grafit. Acest blog explorează definiția, tehnica acoperirii cu TaC...
Citeşte mai mult