समाचार

सिरेमिक सब्सट्रेट सतहहरूमा धातुकरण अनुसन्धानको वर्तमान अवस्था र प्रवृत्ति
२५-०७-१६ मा व्यवस्थापक द्वारा
सिरेमिक सब्सट्रेट सिंटर गरी बनाइसकेपछि, यसको सतहलाई धातुकरण गर्न आवश्यक छ, र त्यसपछि सिरेमिक सब्सट्रेटको विद्युतीय जडान कार्यसम्पादन प्राप्त गर्न छवि स्थानान्तरण मार्फत सतह ढाँचा बनाइन्छ। सिरेमिक सब्सको निर्माणमा सतह धातुकरण एक महत्त्वपूर्ण चरण हो...
थप पढ्नुहोस्
सिलिकन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टलको वृद्धिसँग सम्बन्धित प्रविधि के हो?
२५-०७-१० मा व्यवस्थापक द्वारा
१.सिलिकन कार्बाइड पाउडर डोपिङ टेक्नोलोजी सिलिकन कार्बाइड पाउडरमा उपयुक्त मात्रामा Ce तत्व डोपिङ गर्नाले 4H-SiC को एकल क्रिस्टल रूपको स्थिर वृद्धिको प्रभाव प्राप्त गर्न सकिन्छ। व्यावहारिक अनुभवले देखाएको छ कि पाउडर सामग्रीहरूमा Ce तत्वहरूको डोपिङले वृद्धि दर बढाउन सक्छ ...
थप पढ्नुहोस्
PVT विधिको सिद्धान्त सिलिकन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टल वृद्धि
२५-०७-०३ मा व्यवस्थापक द्वारा
PVT विधि, जसको पूरा नाम भौतिक भाप यातायात हो, उच्च तापक्रम र उच्च चापमा सिलिकन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टलहरू बढाउने एक सामान्य विधि हो। यसको आधारभूत सिद्धान्त भनेको २३०० डिग्री सेल्सियसभन्दा माथिको तापक्रममा र कम चाप भएको वातावरणमा सिलिकन कार्बाइड पाउडरलाई उदात्तीकरणमा तताउनु हो...
थप पढ्नुहोस्
सिलिकन कार्बाइड (SiC) क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस भनेको के हो?
२५-०६-२४ मा व्यवस्थापक द्वारा
SiC मा ठूलो ब्यान्डग्याप, उच्च थर्मल चालकता, उच्च क्रिटिकल ब्रेकडाउन फिल्ड शक्ति, र उच्च इलेक्ट्रोन संतृप्ति बहाव दर जस्ता विशेषताहरू छन्। यसले उच्च तापक्रम, उच्च चाप, उच्च आवृत्ति, र उच्च शक्ति अवस्थाहरूमा अनुप्रयोग आवश्यकताहरू पूरा गर्न सक्छ। यसलाई व्यापक रूपमा प्रयोग गर्न सकिन्छ...
थप पढ्नुहोस्
CVD SiC कोटिंग भनेको के हो?
२५-०६-०९ मा व्यवस्थापक द्वारा
CVD SiC कोटिंगले अर्धचालक उत्पादन प्रक्रियाहरूको सीमालाई आश्चर्यजनक दरमा पुन: आकार दिइरहेको छ। यो सरल देखिने कोटिंग प्रविधि चिप निर्माणमा कण प्रदूषण, उच्च-तापमान क्षरण र प्लाज्मा क्षरणका तीन मुख्य चुनौतीहरूको प्रमुख समाधान बनेको छ। ...
थप पढ्नुहोस्
क्वार्ट्ज डुङ्गाको कार्य र प्रयोग
२५-०६-०४ मा व्यवस्थापक द्वारा
उच्च-शुद्धता क्वार्ट्ज सामग्रीबाट बनेको परिशुद्धता उपकरण घटकको रूपमा क्वार्ट्ज डुङ्गाले अर्धचालक निर्माण, अप्टोइलेक्ट्रोनिक्स उद्योग, रासायनिक विश्लेषण र उच्च-तापमान प्रयोगहरू जस्ता धेरै क्षेत्रहरूमा महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छ। यसको अद्वितीय भौतिक र रासायनिक गुणहरूले यसलाई चौडा...
थप पढ्नुहोस्
CVD SiC कोटिंगको वृद्धिमा फरक तापक्रमको प्रभाव
२५-०५-२६ मा व्यवस्थापक द्वारा
CVD SiC कोटिंग भनेको के हो? रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) एक भ्याकुम निक्षेपण प्रक्रिया हो जुन उच्च-शुद्धता ठोस पदार्थहरू उत्पादन गर्न प्रयोग गरिन्छ। यो प्रक्रिया प्रायः अर्धचालक निर्माण क्षेत्रमा वेफरहरूको सतहमा पातलो फिल्महरू बनाउन प्रयोग गरिन्छ। CV द्वारा सिलिकन कार्बाइड तयार गर्ने प्रक्रियामा...
थप पढ्नुहोस्
सौर्य ग्रेफाइट डुङ्गा भनेको के हो?
२५-०४-२२ मा व्यवस्थापक द्वारा
द्रुत गतिमा विकसित हुँदै गइरहेको सौर्य फोटोभोल्टिक (PV) उद्योगमा, ऊर्जा रूपान्तरण दक्षता बढाउन परिशुद्धता र भौतिक नवीनता महत्त्वपूर्ण छन्। यस प्रक्रियामा गुमनाम नायकहरू मध्ये सौर्य ग्रेफाइट डुङ्गा पनि हो, उच्च-तापमान अर्धचालक निर्माणको लागि डिजाइन गरिएको एक विशेष घटक...
थप पढ्नुहोस्
TaC कोटिंग भनेको के हो?
२५-०४-१० मा व्यवस्थापक द्वारा
द्रुत गतिमा विकसित अर्धचालक उद्योगमा, प्रदर्शन, टिकाउपन र दक्षता बढाउने सामग्रीहरू महत्त्वपूर्ण छन्। यस्तै एउटा नवीनता ट्यान्टलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग हो, जुन ग्रेफाइट कम्पोनेन्टहरूमा लागू हुने अत्याधुनिक सुरक्षात्मक तह हो। यो ब्लगले TaC कोटिंगको परिभाषा, प्राविधिक... को अन्वेषण गर्दछ।
थप पढ्नुहोस्