Жаңалықтар

Керамикалық негіз беттеріндегі металлдандыру зерттеулерінің қазіргі жағдайы мен үрдісі
әкімші 25-07-16 күні жазған
Керамикалық негіз күйдіріліп, қалыптасқаннан кейін, оның бетін металлдау қажет, содан кейін керамикалық негіздің электрлік қосылу өнімділігіне қол жеткізу үшін кескін беру арқылы беттік үлгі жасалады. Беттік металдандыру керамикалық субстраттарды жасаудағы маңызды қадам болып табылады...
Толығырақ оқу
Кремний карбиді (SiC) кристалдарының өсуіне байланысты технология дегеніміз не?
әкімші 25-07-10 күні жазған
1. Кремний карбиді ұнтағын легирлеу технологиясы Кремний карбиді ұнтағына тиісті мөлшерде Ce элементін легирлеу 4H-SiC монокристалды түрінің тұрақты өсуіне қол жеткізуге мүмкіндік береді. Тәжірибе көрсеткендей, ұнтақ материалдарына Ce элементтерін легирлеу өсу қарқынын арттыра алады...
Толығырақ оқу
Кремний карбидін (SiC) кристалдарын өсірудің PVT әдісінің принципі
әкімші 25-07-03 күні жазған
Толық атауы Физикалық бу тасымалдау болып табылатын PVT әдісі жоғары температура мен жоғары қысым жағдайында кремний карбиді (SiC) кристалдарын өсірудің кең таралған әдісі болып табылады. Оның негізгі қағидасы - кремний карбиді ұнтағын 2300℃ жоғары температурада және төмен қысымды ортада сублимациялау үшін қыздыру...
Толығырақ оқу
Кремний карбиді (SiC) кристалды өсіру пеші дегеніміз не?
әкімші 25-06-24 күні жазған
SiC үлкен тыйым салынған аймақ, жоғары жылу өткізгіштік, жоғары сыни тесілу өрісінің кернеулігі және электрондардың қанығу жылдамдығының жоғары сипаттамаларына ие. Ол жоғары температура, жоғары қысым, жоғары жиілік және жоғары қуат жағдайларында қолдану талаптарына сай келеді. Оны кеңінен қолдануға болады...
Толығырақ оқу
CVD SiC жабыны дегеніміз не?
әкімші 25-06-09 күні жазған
CVD SiC жабыны жартылай өткізгіш өндіріс процестерінің шекараларын таңқаларлық жылдамдықпен қайта құруда. Бұл қарапайым болып көрінетін жабын технологиясы чип өндірісіндегі бөлшектердің ластануы, жоғары температуралы коррозия және плазма эрозиясының үш негізгі мәселесіне негізгі шешімге айналды. ...
Толығырақ оқу
Кварц қайығының қызметі және қолданылуы
әкімші 25-06-04 күні жазған
Кварц қайығы, жоғары тазалықтағы кварц материалынан жасалған дәлдіктегі құрал компоненті ретінде, жартылай өткізгіштер өндірісі, оптоэлектроника өнеркәсібі, химиялық талдау және жоғары температуралық эксперименттер сияқты көптеген салаларда маңызды рөл атқарады. Оның бірегей физикалық және химиялық қасиеттері оған кең мүмкіндіктер береді...
Толығырақ оқу
Әртүрлі температуралардың CVD SiC жабынының өсуіне әсері
әкімші 25-05-26 күні жариялады
CVD SiC жабыны дегеніміз не? Химиялық бумен тұндыру (CVD) - жоғары тазалықтағы қатты материалдарды алу үшін қолданылатын вакуумдық тұндыру процесі. Бұл процесс көбінесе жартылай өткізгіш өндіріс саласында пластиналардың бетінде жұқа қабықшалар қалыптастыру үшін қолданылады. CVD арқылы кремний карбидін дайындау процесінде...
Толығырақ оқу
Күн энергиясымен жұмыс істейтін графит қайығы дегеніміз не?
әкімші 25.04.22 күні жариялады
Жылдам дамып келе жатқан күн фотоэлектрлік (ФЭ) өнеркәсібінде дәлдік пен материалдық инновациялар энергияны түрлендіру тиімділігін арттыру үшін өте маңызды. Бұл процестегі танымал емес батырлардың қатарында жоғары температуралы жартылай өткізгіштер өндірісіне арналған мамандандырылған компонент - Күн графит қайығы бар...
Толығырақ оқу
TaC жабыны дегеніміз не?
әкімші 25.04.10 күні жариялады
Жылдам дамып келе жатқан жартылай өткізгіштер өнеркәсібінде өнімділікті, беріктік пен тиімділікті арттыратын материалдар өте маңызды. Осындай инновациялардың бірі - графит компоненттеріне қолданылатын заманауи қорғаныс қабаты - тантал карбиді (TaC) жабыны. Бұл блог TaC жабынының анықтамасын, техникалық...
Толығырақ оқу